Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2014
• Автори: Seyidov, М.Yu., Suleymanov, R.A., Acar, E., Одринский, А.П., Мамедов, Т.Г., Наджафов, А.И., Алиева, В.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
• Теми: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефе...