Исследование спектров электрон-риплонных колебаний и процеcсов диссипации в двумерном электронном кристалле над жидким гелием

Исследованы резонансные спектры связанных электрон-риплонных колебаний в двумерных
 электронных кристаллах над жидким гелием с поверхностной плотностью электронов ns, равной
 (3,2 –10,8) ·10⁸ cм⁻², при прижимающих электрических полях E⊥=300–1150 В/cм в интервале
 температу...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2004
Автор: Сивоконь, В.Е.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119654
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование спектров электрон-риплонных колебаний и процеcсов диссипации в двумерном электронном кристалле над жидким гелием / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 509-522. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследованы резонансные спектры связанных электрон-риплонных колебаний в двумерных
 электронных кристаллах над жидким гелием с поверхностной плотностью электронов ns, равной
 (3,2 –10,8) ·10⁸ cм⁻², при прижимающих электрических полях E⊥=300–1150 В/cм в интервале
 температур T = 0,08–0,4 К. В результате анализа спектров получены зависимости реальной
 x₁ и мнимой x₂ компонент обратной проводимости σ⁻¹ кристаллов от T, ns и E⊥.
 Величина x₂ находится в хорошем согласии с теоретическими оценками. Анализ зависимостей
 x₁ позволяет предположить, что энергетические потери в электронном кристалле связаны с дефектами его кристаллической структуры. Дослiджено резонанснi спектри зв’язаних електрон-риплонних коливань у двовимiрних
 електронних кристалах над рiдким гелiєм з поверхневою густиною електронiв ns, рівною
 (3,2 –10,8) ·10⁸ cм⁻², при притискуючих електричних полях E⊥=300–1150 В/cм в інтервалі
 температур T =0,08–0,4 К. Внаслiдок аналiзу спектрiв отримано залежностi реальної σ⁻¹ та
 уявної x₂ компонент зворотної провiдностi x₁ кристалiв вiд T, ns та E⊥. Величина x₂ добре
 узгоджується з теоретичними оцiнками. Аналiз залежностей x₁ дозволяє припустити, що
 енергетичнi втрати у електронному кристалi зв’язанi з дефектами його кристалiчної структури. The resonance spectra of coupled electronripplon
 oscillations in two-dimensional electron
 crystals over liquid helium with the surface electron
 density ns = (3.2–10.8) ·10⁸ cm⁻² at the holding
 electric field E⊥ = 300–1150 V/cm are studied
 in the temperature range T=0.08 - 0.4 K.
 The analysis of the spectra displays that the real
 x₁ and imaginary x₂ components of the electron
 crystal inverse conductivity σ⁻¹ are dependent
 on T, ns and E⊥. The imaginary component x₂ is
 in good agreement with theoretical estimations.
 The analysis of x₁ suggests that the enegry loss
 of the electron crystal is connected with its
 structural defects.
ISSN:0132-6414