Резистивные состояния широких сверхпроводящих пленок, обусловленные постоянным и переменным токами (Обзор)
Обзор посвящен исследованию в широких сверхпроводящих пленках резистивных состояний, обусловленных постоянным и переменным токами в отсутствие внешнего магнитного поля. Экспериментально установлено, что в области существования вихревого состояния пленки вольт-амперные характеристики и их параметры х...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119664 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Резистивные состояния широких сверхпроводящих пленок, обусловленные постоянным и переменным токами (Обзор) / И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 10. — С. 1111-1143. — Бібліогр.: 130 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Обзор посвящен исследованию в широких сверхпроводящих пленках резистивных состояний, обусловленных постоянным и переменным токами в отсутствие внешнего магнитного поля. Экспериментально установлено, что в области существования вихревого состояния пленки вольт-амперные характеристики и их параметры хорошо описываются теорией вихревого резистивного состояния Асламазова–Лемпицкого, которая долгое время не находила надежного подтверждения. Экспериментально доказано,
что при токах бóльших, чем максимальный ток существования вихревого резистивного состояния, в широких пленках вихревой механизм токовой резистивности отсутствует. Экспериментально доказана невихревая природа линий проскальзывания фазы (ЛПФ) в широких пленках. Показано, что при облучении
широкой сверхпроводящей пленки электромагнитным полем с мощностью больше критической в ней
возникают линии проскальзывания фазы, сопротивление которых зависит от частоты облучения. Результаты исследований ЛПФ в широких пленках аналогичны результатам исследований центров проскальзывания фазы в узких каналах, что указывает на идентичность процессов проскальзывания фазы в этих
двух объектах исследований. Установлено, что токовое резистивное состояние широкой пленки обусловлено двумя альтернативными механизмами, которые возникают последовательно один за другим: проникновение в пленку и движение поперек нее пирловских вихрей магнитного поля тока и возникновение
линий проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка. |
|---|