Резистивные состояния широких сверхпроводящих пленок, обусловленные постоянным и переменным токами (Обзор)

• Date: 2014
• Main Author: Золочевский, И.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
• Series: Физика низких температур
• Subjects: III Международный семинар по микроконтактной спектроскопии
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119664
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Резистивные состояния широких сверхпроводящих пленок, обусловленные постоянным и переменным токами (Обзор) / И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 10. — С. 1111-1143. — Бібліогр.: 130 назв. — рос.

Обзор посвящен исследованию в широких сверхпроводящих пленках резистивных состояний, обусловленных постоянным и переменным токами в отсутствие внешнего магнитного поля. Экспериментально установлено, что в области существования вихревого состояния пленки вольт-амперные характеристики и их параметры хорошо описываются теорией вихревого резистивного состояния Асламазова–Лемпицкого, которая долгое время не находила надежного подтверждения. Экспериментально доказано, что при токах бóльших, чем максимальный ток существования вихревого резистивного состояния, в широких пленках вихревой механизм токовой резистивности отсутствует. Экспериментально доказана невихревая природа линий проскальзывания фазы (ЛПФ) в широких пленках. Показано, что при облучении широкой сверхпроводящей пленки электромагнитным полем с мощностью больше критической в ней возникают линии проскальзывания фазы, сопротивление которых зависит от частоты облучения. Результаты исследований ЛПФ в широких пленках аналогичны результатам исследований центров проскальзывания фазы в узких каналах, что указывает на идентичность процессов проскальзывания фазы в этих двух объектах исследований. Установлено, что токовое резистивное состояние широкой пленки обусловлено двумя альтернативными механизмами, которые возникают последовательно один за другим: проникновение в пленку и движение поперек нее пирловских вихрей магнитного поля тока и возникновение линий проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка.