Some aspects of tight-binding approach in chemisorption theory
The quantum-statistic problem of atoms chemisorption with hydrogen-like
 electronic structure on semiconductor and dielectric crystalline surfaces is
 considered. The superficial states are described in tight-binding approximation.
 The self-consistent system of equations for...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2001
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119775 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Some aspects of tight-binding
 approach in chemisorption theory / Yu. Rudavskii, G. Ponedilok, Yu. Petriv // Condensed Matter Physics. — 2001. — Т. 4, № 1(25). — С. 133-140. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | The quantum-statistic problem of atoms chemisorption with hydrogen-like
electronic structure on semiconductor and dielectric crystalline surfaces is
considered. The superficial states are described in tight-binding approximation.
The self-consistent system of equations for calculating the charge
and spin-polarized states of the adsorbed atom in Hartree-Fock approximation
is derived.
Розглядається квантово-статистична задача хемосорбцiї атома з
водневоподiбною електронною структурою на кристалiчних поверхнях напiвпровiдникiв та дiелектрикiв. Поверхневi стани описуються
наближенням сильного зв’язку. В наближеннi Хартрi-Фока отримано самоузгоджену систему рiвнянь для розрахунку величини зарядового та спiн-поляризованого станiв адсорбованого атома.
|
|---|---|
| ISSN: | 1607-324X |