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Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination

A general approach has been developed to calculation of photoconversion efficiency of thinbase silicon solar cells with double-sided metallization for concentrated solar illumination. The full absorption of photoactive radiation has been theoretically simulated, the light absorption by free charge c...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	1999
Hauptverfasser:	Gorban, A.P., Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V., Serba, A.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119858
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination / A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, A.A. Serba // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 45-49. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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