APA-Zitierstil (7. Ausg.)

Indutnyi, I., Shepeliavyi, P., & Indutnyi, V. (1999). Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)

Indutnyi, I.Z, P.E Shepeliavyi, und V.I Indutnyi. Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.

MLA-Zitierstil (8. Ausg.)

Indutnyi, I.Z, et al. Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.