Indutnyi, I., Shepeliavyi, P., & Indutnyi, V. (1999). Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Indutnyi, I.Z, P.E Shepeliavyi, та V.I Indutnyi. "Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 1999.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Indutnyi, I.Z, et al. "Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.