Indutnyi, I., Shepeliavyi, P., & Indutnyi, V. (1999). Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Indutnyi, I.Z, P.E Shepeliavyi, und V.I Indutnyi. "Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 1999.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Indutnyi, I.Z, et al. "Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999.
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