Стиль цитування APA (7-ме видання)

Indutnyi, I., Shepeliavyi, P., & Indutnyi, V. (1999). Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Indutnyi, I.Z, P.E Shepeliavyi, та V.I Indutnyi. Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Indutnyi, I.Z, et al. Relaxation of Photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ Composite Layers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.