Зображення обкладинки

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs

The analytical, structural and electrophysical techniques have been applied to studies of the thermal degradation mechanism appearing in diode structures with the Schottky barrier Au-Mo-TiBxGaAs. It was shown that the rapid thermal annealing at T = 600 °C during 60 sec in hydrogen atmosphere results...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	1999
Автори:	Venger, E.F., Beliaev, A.A., Boltovets, N.S., Ermolovich, I.B., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Voitsikhovski, D.I., Figielski, T., Makosa, A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119864
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs / E.F. Venger, A.A. Beliaev, N.S. Boltovets, I.B. Ermolovich, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I.Voitsikhovski, T. Figielski, A. Makosa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2001)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
за авторством: Кудрик, Р.Я.
Опубліковано: (2015)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)

Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing
за авторством: Litvinov, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2017)

Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Crystallization of rapidly quenched ribbons on the base of Fe₈₂Si₂B₁₆ under isothermal annealing
за авторством: Brud'ko, O.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of Annealing Environment on the Ni Diffusion Rate to Surface of the Thin-Film Au/Ni System
за авторством: S. I. Sydorenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Quantization of the magnetic moment in CdBxF2–x/p-CdF2–QW/CdBxF2–x nanosandwiches
за авторством: N. T. Bagraev, та інші
Опубліковано: (2014)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Квантование магнитного момента в наносандвичах CdBxF₂₋x/p-CdF₂₋QW/CdBxF₂₋x
за авторством: Баграев, Н.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Biochemical passivation of metal surfaces for sensor application: reactive annealing of polycrystalline gold films in hydrogen sulfide atmosphere
за авторством: Snopok, B. A., та інші
Опубліковано: (2000)

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Rapid vs. Qualitative Development
за авторством: Panchenko, T.V.
Опубліковано: (2025)

Rapidly grown KDP crystals
за авторством: Salo, V.I.
Опубліковано: (2000)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Comprehensive studies of defect production and strained states in silicon epitaxial layers and device structures based on them
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2001)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2016)

RAPID NONDESTRUCTIVE MECHANICAL STRESS CONTROL
за авторством: Bezotosniy, V. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Rapidly varying solutions of a second-order differential equation with regularly and rapidly varying nonlinearities
за авторством: V. M. Evtukhov, та інші
Опубліковано: (2018)

Kyiv in a rapidly changing world
за авторством: T. V. Kryshtop, та інші
Опубліковано: (2015)

Phase transformations of alpha-Al₂O₃ during annealing in a reducing atmosphere
за авторством: Dan`ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2005)

Interlayer coupling in Tb/Fe bilayers and Tb/Au/Fe trilayers with sharp or rough interface
за авторством: Shypil, E.V., та інші
Опубліковано: (2001)