Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 1999
• Автори: Zhuchenko, Z.Ya., Tarasov, G.G., Lavorik, S.R., Mazur, Yu.I., Valakh, M.Ya., Kissel, H., Masselink, W.T. , Mueller, U., Walther, C.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119877
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures / Z.Ya. Zhuchenko, G.G. Tarasov, S.R. Lavorik, Yu.I. Mazur, M.Ya. Valakh, H. Kissel, W.T. Masselink, U. Mueller, C. Walther // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 3. — С. 103-108. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Pseudomorphic strained-layer AlxGa₁₋xAs/InyGa₁₋yAs/GaAs heterostructures have been studied by means of photoluminescence and Raman scattering. It is established the correlation between the photoluminescence line shape changes and the Raman spectra modification when the quantum well width is below th...