Optimization of temperature conditions for the growth of large-size sapphire crystals by the method of horizontally directed crystallization
The coefficient of dislocation gliding over the planes of easy glide depending on the shape of the crystallization front, is determined. The regions of non-uniform distribution of thermal field in the crystal are established. Optimized are the temperature conditions for the growth of large-size (350...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119907 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Optimization of temperature conditions for the growth of large-size sapphire crystals by the method of horizontally directed crystallization / L.A. Grin, A.T. Budnikov, N.S. Sidelnikova, G.T. Adonkin, V.V. Baranov // Functional Materials. — 2013. — Т. 20, № 1. — С. 111-117 — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Hydrodynamical conditions in the melt at the growth of sapphire and YAG crystals by horizontal directed crystallization
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Study of nature of some defects visible in polarized light in sapphire signle crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of crystal growth conditions and carbothermal treatment on activator charge state in Ti:sapphire
за авторством: Nizhankovskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nizhankovskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Optical and luminescence characteristics of YAG:Ce crystals grown by horizontal directed crystallization in reducing gas medium
за авторством: Nizhankovsky, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nizhankovsky, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Thermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
Charge state of the activator in Ti:sapphire crystals grown by HDC method
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sidelnikova, N.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Structure perfection of large-size KDP crystals grown by various techniques
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Growth conditions influence on thermally stimulated luminescence of sapphire single crystals
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Blonskyy, I.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Optimization of KY-crystallization process
за авторством: Kryvonosov, Ie.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kryvonosov, Ie.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of CO₃²⁻ and OH⁻ impurities on thermal growing conditions of large-size NaI:Tl crystals and their quality
за авторством: Kudin, K.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kudin, K.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Potentialities for sapphire strength enhancement
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Large size composite scintillators
за авторством: Karavaeva, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Karavaeva, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of melt convection on the dynamics and capture inclusions for growing oxide crystals by HDC
за авторством: Naydenov, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Naydenov, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Some peculiarities of the use of sapphire light guides in metallurgy
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar+CO atmosphere
за авторством: Dan‘ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dan‘ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
Peculiarities of optical and structure characteristics of sapphire single crystals grown in Ar + CO atmosphere
за авторством: Dan’ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dan’ko, A.Ya., та інші
Опубліковано: (2004)
Purification of raw material for cesium iodide single crystals and impurity concentration by low-temperature directional crystallization
за авторством: Eksperiandova, L.P.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Eksperiandova, L.P.
Опубліковано: (2010)
Features of YAG crystals growth by the Czochralski method in Mo crucibles
за авторством: Arhipov, P., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Arhipov, P., та інші
Опубліковано: (2014)
Mass-spectrometric studies of the charge for CdWO₄ crystal growth
за авторством: Sofronov, D.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sofronov, D.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Optical and luminescence properties of Er,Yb:YAG crystals grown by horizontal directional crystallization method
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Specific growing features of variable section sapphire articles by Stepanov technique
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
CdSe charge obtaining for single crystals growth in alkaline solutions
за авторством: Sofronov, D.S., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sofronov, D.S., та інші
Опубліковано: (2018)
Simultaneous growth of several bicrystals oriented by common single-crystal seed
за авторством: Kazarov, Yu.G.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kazarov, Yu.G.
Опубліковано: (2015)
Study on lithium dihydrogen phosphate crystal growth conditions in nonstoichiometric solutions
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)
The heat transfer model for VGF technique with skull layer for halide crystal growth
за авторством: Taranyuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Taranyuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of growth atmosphere on Ce³⁺ incorporation in Gd₂SiO₅ single crystals
за авторством: Bondar, V.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Bondar, V.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Melt composition and heat treatment at growth of Gd₂Si₂O₇ — based crystals
за авторством: Gerasymov, Ia.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gerasymov, Ia.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Growth and characterization of КН₂РО₄ single crystals doped with ТіO₂ nanocrystals
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Pritula, I., та інші
Опубліковано: (2008)
Production of high-purity zinc single crystals by vertical directed crystallization method
за авторством: Shcherban, A.P., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Shcherban, A.P., та інші
Опубліковано: (2020)
Analysis of dynamic parameters of the KY-crystallization process
за авторством: Kryvonosov, Ie.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kryvonosov, Ie.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Vortex flows in acid solutions of lithium dihydrogen phosphate in a crystal growth unit
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2015)
Scintillation characteristics of deformed large-sized NaI crystals
за авторством: Shlyakhturov, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Shlyakhturov, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Manufacture of super large tungsten single crystals in the form of rotation bodies
за авторством: Shapovalov, V.O., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Shapovalov, V.O., та інші
Опубліковано: (2020)
Spectral properties of Er-doped yttrium aluminum garnet crystals grown by modified horizontal directional crystallization method
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nizhankovskyi, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)