Зображення обкладинки

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions

Using molecular-dynamics method based on three-particle Tersoff’s potential simulation we have studied the Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions. Bond lengths and strain energies of these alloys can be predicted. The calculated results are compared with those obtained from other theoretical...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2005
Автори:	Deibuk, V.G., Korolyuk, Yu.G.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119915
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions / V.G. Deibuk,Yu.G. Korolyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 1-5. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Engineering of mixed Bi₄(GexSi₁₋x)₃O₁₂ scintillation crystals
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

Low-temperature Hall effect and martensitic transition temperatures in magnetocaloric Ni50Mn35Sb15–xGex (x = 0, 1, 3) alloys
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2021)

Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)

Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂
за авторством: Белецкий, В.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Электронная структура сплавов Pb₁–x–ySnxFeyTe
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2019)

Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)

Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)

Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Electronic structure of Pb1–x–ySnxFeyTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2019)

Polishing etchant compositions for the chemical treatment of the PbTe and Pb1–xSnxTe solid solutions single crystals and methods for their processing. Review
за авторством: G. P. Malanych
Опубліковано: (2017)

Methods of Ti-Si and Ti-Si-X systems alloys melting
за авторством: N. N. Kuzmenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Magneto-optical properties of nanocomposites (Co₄₁Fe₃₉B₂₀)ₓ(SiO₂)₁₀₀₋ₓ
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2020)

Ізотермічне окиснення порошків твердого розчину Cu₁₋ₓSnₓ
за авторством: Тимошенко, М.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Dispersion-strengthened titanium alloys of Ti-Si-X system
за авторством: G. M. Grigorenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Investigation of the effective mass of electrons in solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2006)

Способы выплавки сплавов систем Ti-Si и Ti-Si-X
за авторством: Кузьменко, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Crystallization study of (As₂S₃)₁₀₀-x(SbSI)x amorphous films by the optical method
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Resonant impurity level of Ni in the valence band of Pb1–xSnxTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)

Acousto-optic properties of GexS100–x glasses and acousto-optic modulator on their basis
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2014)

X-ray determination of the dynamic displacement of the aluminum atoms in the single-phase state and in the eutectic Al-Si alloy
за авторством: O. N. Grigorev, та інші
Опубліковано: (2014)

TMR, MRE, and X-ray photoelectron spectroscopy of Fe-SiO₂ granular films
за авторством: Kravets, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS₂)₁₀₀₋x(SbSI)x glasses and composites on their basis
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Growth and structure of WC/Si multilayer x-ray mirror
за авторством: Pershyn, Y.P., та інші
Опубліковано: (2018)