Зображення обкладинки

Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe

The dependence of the conversion depth in CdxHg₁–xTe alloys subjected to ion-beam milling (CMT) on alloy composition and treatment temperature is studied both experimentally and theoretically. It is shown that in compositionally homogeneous crystals the dependence is defined by internal electric fie...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2005
Автори:	Izhnin, I.I., Bogoboyashchyy, V.V., Kurbanov, K.R., Mynbaev, K.D., Ryabikov, V.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119965
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe / I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyashchyy, K.R. Kurbanov, K.D. Mynbaev, V.M. Ryabikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 53-59. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)

Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)

Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)

Deformation-Induced Interfacial Interaction in Elastically-Plastically Deformed Single Crystals of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)

Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Diffusion and mobility of native point defects in narrow-gap Hg₁-xCdxTe crystals
за авторством: Elizarov, A.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in r+–r–r– structures of CdxHg1–xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)

Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)

Density of heavy hole states of Hg₁-xCdxTe in an isotropic nonparabolic approximation by exact measurements of electron concentration
за авторством: Bogoboyashchyy, V.V.
Опубліковано: (2001)

Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)

A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)

Layer structure formation in Hg₁₋xCdxTe films after high-frequency sonication
за авторством: Savkina, R.K., та інші
Опубліковано: (2006)

Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)

Magnetic and kinetic properties of crystals Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Kovalyuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2014)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)

REGULARITIES OF HG RESOURCES DISTRIBUTION IN PALEOZOIC BASINS PLATFORMS (BY THEIR BEDDING DEPTHS)
за авторством: Ponomarenko, G.S., та інші
Опубліковано: (2014)

Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)

Regularities of HG resources distribution in Paleozoic Basins ancient platforms (by their bedding depths)
за авторством: H. S. Ponomarenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)

R-band observations of the X-ray transients XTE J1859+226 and XTE J1118+480
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2013)

Состояние вакансий pтути в полумагнитном полупpоводнике Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1999)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Polyvariety of elementary modules of annual flowering shoots of Pulsatilla patens (L.) Mill. and P. pratensis (L.) Mill. (Ranunculaceae)
за авторством: O. F. Shcherbakova, та інші
Опубліковано: (2013)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)