Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering
Two-level modeling for nanoscale pattern formation on silicon target by Ar+ ion sputtering is presented. Phase diagram illustrating possible nanosize surface patterns is discussed. Scaling characteristics for the structure wavelength dependence versus incoming ion energy are defined. Growth and roug...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2011
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119981 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering / V.O. Kharchenko, D.O. Kharchenko // Condensed Matter Physics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 23602:1-11. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862613444219371520 |
|---|---|
| author | Kharchenko, V.O. Kharchenko, D.O. |
| author_facet | Kharchenko, V.O. Kharchenko, D.O. |
| citation_txt | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering / V.O. Kharchenko, D.O. Kharchenko // Condensed Matter Physics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 23602:1-11. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | Two-level modeling for nanoscale pattern formation on silicon target by Ar+ ion sputtering is presented. Phase diagram illustrating possible nanosize surface patterns is discussed. Scaling characteristics for the structure wavelength dependence versus incoming ion energy are defined. Growth and roughness exponents in different domains of the phase diagram are obtained.
Проводиться теоретичне дослiдження процесiв змiни морфологiї поверхнi кремнiю при розпиленнi його iонами аргону в рамках дворiвневої схеми, що враховує методи Монте-Карло та модифiковану теорiю Бредлi-Харпера. Отримано та проаналiзовано фазову дiаграму у площинi кут падiння налiтаючого iону та енергiя iону, що iлюструє можливi типи поверхневих нано-структур. Отримано узагальнену степеневу залежнiсть довжини хвилi отриманих поверхневих структур вiд енергiї налiтаючих iонiв. Проаналiзовано показник росту i повздовжнiй та поперечний показники шорсткостi отриманих поверхонь.
|
| first_indexed | 2025-11-29T07:04:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119981 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-29T07:04:35Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Kharchenko, V.O. Kharchenko, D.O. 2017-06-10T15:39:14Z 2017-06-10T15:39:14Z 2011 Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering / V.O. Kharchenko, D.O. Kharchenko // Condensed Matter Physics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 23602:1-11. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. 1607-324X PACS: 68.55.-a, 68.35.Ct, 79.20.Rf, 81.16.Rf DOI:10.5488/CMP.14.23602 arXiv:1106.6256 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119981 Two-level modeling for nanoscale pattern formation on silicon target by Ar+ ion sputtering is presented. Phase diagram illustrating possible nanosize surface patterns is discussed. Scaling characteristics for the structure wavelength dependence versus incoming ion energy are defined. Growth and roughness exponents in different domains of the phase diagram are obtained. Проводиться теоретичне дослiдження процесiв змiни морфологiї поверхнi кремнiю при розпиленнi його iонами аргону в рамках дворiвневої схеми, що враховує методи Монте-Карло та модифiковану теорiю Бредлi-Харпера. Отримано та проаналiзовано фазову дiаграму у площинi кут падiння налiтаючого iону та енергiя iону, що iлюструє можливi типи поверхневих нано-структур. Отримано узагальнену степеневу залежнiсть довжини хвилi отриманих поверхневих структур вiд енергiї налiтаючих iонiв. Проаналiзовано показник росту i повздовжнiй та поперечний показники шорсткостi отриманих поверхонь. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering Змiна морфологiї поверхнi кремнiю при розпиленнi його iонами аргону Article published earlier |
| spellingShingle | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering Kharchenko, V.O. Kharchenko, D.O. |
| title | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering |
| title_alt | Змiна морфологiї поверхнi кремнiю при розпиленнi його iонами аргону |
| title_full | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering |
| title_fullStr | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering |
| title_full_unstemmed | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering |
| title_short | Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering |
| title_sort | morphology change of the silicon surface induced by ar+ ion beam sputtering |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119981 |
| work_keys_str_mv | AT kharchenkovo morphologychangeofthesiliconsurfaceinducedbyarionbeamsputtering AT kharchenkodo morphologychangeofthesiliconsurfaceinducedbyarionbeamsputtering AT kharchenkovo zminamorfologiípoverhnikremniûprirozpilenniiogoionamiargonu AT kharchenkodo zminamorfologiípoverhnikremniûprirozpilenniiogoionamiargonu |