Electric properties of the interface quantum dot — matrix
A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the
 InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation
 model. It is shown that at the strained border between a quantum dot a...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119989 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862661531771076608 |
|---|---|
| author | Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. |
| author_facet | Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. |
| citation_txt | Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the
InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation
model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric
layer, that is n⁺ - n junction.
У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд.
|
| first_indexed | 2025-12-02T11:54:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119989 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-02T11:54:59Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. 2017-06-10T16:35:53Z 2017-06-10T16:35:53Z 2009 Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1607-324X PACS: 68.65.Hb, 73.21.La, 73.63.Kv DOI:10.5488/CMP.12.2.215 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119989 A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the
 InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation
 model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric
 layer, that is n⁺ - n junction. У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Electric properties of the interface quantum dot — matrix Електричнi властивостi межi подiлу квантова точка – матриця Article published earlier |
| spellingShingle | Electric properties of the interface quantum dot — matrix Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. |
| title | Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_alt | Електричнi властивостi межi подiлу квантова точка – матриця |
| title_full | Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_fullStr | Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_full_unstemmed | Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_short | Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_sort | electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119989 |
| work_keys_str_mv | AT peleshchakrm electricpropertiesoftheinterfacequantumdotmatrix AT bachynskyiya electricpropertiesoftheinterfacequantumdotmatrix AT peleshchakrm električnivlastivostimežipodilukvantovatočkamatricâ AT bachynskyiya električnivlastivostimežipodilukvantovatočkamatricâ |