Electric properties of the interface quantum dot — matrix
A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2009
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119989 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119989 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. 2017-06-10T16:35:53Z 2017-06-10T16:35:53Z 2009 Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1607-324X PACS: 68.65.Hb, 73.21.La, 73.63.Kv DOI:10.5488/CMP.12.2.215 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119989 A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric layer, that is n⁺ - n junction. У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Electric properties of the interface quantum dot — matrix Електричнi властивостi межi подiлу квантова точка – матриця Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| spellingShingle |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. |
| title_short |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_full |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_fullStr |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_full_unstemmed |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| title_sort |
electric properties of the interface quantum dot — matrix |
| author |
Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. |
| author_facet |
Peleshchak, R.M. Bachynsky, I.Ya. |
| publishDate |
2009 |
| language |
English |
| container_title |
Condensed Matter Physics |
| publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Електричнi властивостi межi подiлу квантова точка – матриця |
| description |
A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the
InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation
model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric
layer, that is n⁺ - n junction.
У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд.
|
| issn |
1607-324X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119989 |
| citation_txt |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT peleshchakrm electricpropertiesoftheinterfacequantumdotmatrix AT bachynskyiya electricpropertiesoftheinterfacequantumdotmatrix AT peleshchakrm električnivlastivostimežipodilukvantovatočkamatricâ AT bachynskyiya električnivlastivostimežipodilukvantovatočkamatricâ |
| first_indexed |
2025-12-02T11:54:59Z |
| last_indexed |
2025-12-02T11:54:59Z |
| _version_ |
1850862461668818944 |