Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2006
• Автор: Сивоконь, В.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120013
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.

Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов
 гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного
 бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению
 со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано
 увеличение толщины плeнки при еe переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также,
 что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с
 различными толщинами. Запропоновано підхід для розрахунку хімічного потенціалу тонкої гелієвої плівки, яка знаходиться у рівновазі з паром. При розрахунку хімічного потенціалу поверхневий шар атомів
 гелію, що контактує з паром, розглядається як двовимірна система. Хімічний потенціал надплинного гелію апроксимується хімічним потенціалом ідеального двовимірного бозе-газу, а
 хімічний потенціал нормального гелію має у порівнянні з надплинним гелієм додаткову величину, що залежить від температури. У рамках підходу передбачено збільшення товщини
 плівки при її переході у надплинний стан. Передбачено також, що за деяких умов нормальна
 та надплинна плівки з різними товщинами можуть співіснувати. An approach for calculations of the chemical
 potential of a helium film in equilibrium with
 vapor is proposed. For the calculations the surface
 layer of helium atoms, contacting with vapor
 is considered as a two-dimensional system.
 The superfluid helium chemical potential is approximated
 with the chemical potential of the
 ideal two-dimensional Bose-gas. The chemical
 potential of normal helium contains an additional
 (compared to the superfluid one) quantity,
 which depends on temperature. Within the
 framework of the approach it is predicted that
 the film thickness increases with its transition to
 a superfluide state. It is also predicted that under
 certain conditions normal and superfluid
 films of different thicknesses may coexist.