Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок

Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов
 гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксим...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2006
Автор: Сивоконь, В.Е.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120013
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862730383006629888
author Сивоконь, В.Е.
author_facet Сивоконь, В.Е.
citation_txt Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов
 гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного
 бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению
 со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано
 увеличение толщины плeнки при еe переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также,
 что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с
 различными толщинами. Запропоновано підхід для розрахунку хімічного потенціалу тонкої гелієвої плівки, яка знаходиться у рівновазі з паром. При розрахунку хімічного потенціалу поверхневий шар атомів
 гелію, що контактує з паром, розглядається як двовимірна система. Хімічний потенціал надплинного гелію апроксимується хімічним потенціалом ідеального двовимірного бозе-газу, а
 хімічний потенціал нормального гелію має у порівнянні з надплинним гелієм додаткову величину, що залежить від температури. У рамках підходу передбачено збільшення товщини
 плівки при її переході у надплинний стан. Передбачено також, що за деяких умов нормальна
 та надплинна плівки з різними товщинами можуть співіснувати. An approach for calculations of the chemical
 potential of a helium film in equilibrium with
 vapor is proposed. For the calculations the surface
 layer of helium atoms, contacting with vapor
 is considered as a two-dimensional system.
 The superfluid helium chemical potential is approximated
 with the chemical potential of the
 ideal two-dimensional Bose-gas. The chemical
 potential of normal helium contains an additional
 (compared to the superfluid one) quantity,
 which depends on temperature. Within the
 framework of the approach it is predicted that
 the film thickness increases with its transition to
 a superfluide state. It is also predicted that under
 certain conditions normal and superfluid
 films of different thicknesses may coexist.
first_indexed 2025-12-07T19:19:54Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120013
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:19:54Z
publishDate 2006
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Сивоконь, В.Е.
2017-06-10T18:06:03Z
2017-06-10T18:06:03Z
2006
Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 67.90.+z
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120013
Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов
 гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного
 бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению
 со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано
 увеличение толщины плeнки при еe переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также,
 что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с
 различными толщинами.
Запропоновано підхід для розрахунку хімічного потенціалу тонкої гелієвої плівки, яка знаходиться у рівновазі з паром. При розрахунку хімічного потенціалу поверхневий шар атомів
 гелію, що контактує з паром, розглядається як двовимірна система. Хімічний потенціал надплинного гелію апроксимується хімічним потенціалом ідеального двовимірного бозе-газу, а
 хімічний потенціал нормального гелію має у порівнянні з надплинним гелієм додаткову величину, що залежить від температури. У рамках підходу передбачено збільшення товщини
 плівки при її переході у надплинний стан. Передбачено також, що за деяких умов нормальна
 та надплинна плівки з різними товщинами можуть співіснувати.
An approach for calculations of the chemical
 potential of a helium film in equilibrium with
 vapor is proposed. For the calculations the surface
 layer of helium atoms, contacting with vapor
 is considered as a two-dimensional system.
 The superfluid helium chemical potential is approximated
 with the chemical potential of the
 ideal two-dimensional Bose-gas. The chemical
 potential of normal helium contains an additional
 (compared to the superfluid one) quantity,
 which depends on temperature. Within the
 framework of the approach it is predicted that
 the film thickness increases with its transition to
 a superfluide state. It is also predicted that under
 certain conditions normal and superfluid
 films of different thicknesses may coexist.
Мне приятно выразить свою признательность
 В.Н. Григорьеву, Ю.З. Ковдре, С.С. Соколову и
 С.И. Шевченко за обсуждение результатов работы
 Я признателен также Japan Society for the
 Promotion of Science за предоставленную возможность проведения исследований в Японии.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
The effect of superfluid transition on adsorption of thin helium films
Article
published earlier
spellingShingle Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
Сивоконь, В.Е.
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
title Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_alt The effect of superfluid transition on adsorption of thin helium films
title_full Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_fullStr Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_full_unstemmed Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_short Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_sort влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120013
work_keys_str_mv AT sivokonʹve vliâniesverhtekučegoperehodanaadsorbciûtonkihgelievyhplenok
AT sivokonʹve theeffectofsuperfluidtransitiononadsorptionofthinheliumfilms