Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок

Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2006
1. Verfasser: Сивоконь, В.Е.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120013
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120013
record_format dspace
spelling Сивоконь, В.Е.
2017-06-10T18:06:03Z
2017-06-10T18:06:03Z
2006
Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 67.90.+z
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120013
Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано увеличение толщины плeнки при еe переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также, что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с различными толщинами.
Запропоновано підхід для розрахунку хімічного потенціалу тонкої гелієвої плівки, яка знаходиться у рівновазі з паром. При розрахунку хімічного потенціалу поверхневий шар атомів гелію, що контактує з паром, розглядається як двовимірна система. Хімічний потенціал надплинного гелію апроксимується хімічним потенціалом ідеального двовимірного бозе-газу, а хімічний потенціал нормального гелію має у порівнянні з надплинним гелієм додаткову величину, що залежить від температури. У рамках підходу передбачено збільшення товщини плівки при її переході у надплинний стан. Передбачено також, що за деяких умов нормальна та надплинна плівки з різними товщинами можуть співіснувати.
An approach for calculations of the chemical potential of a helium film in equilibrium with vapor is proposed. For the calculations the surface layer of helium atoms, contacting with vapor is considered as a two-dimensional system. The superfluid helium chemical potential is approximated with the chemical potential of the ideal two-dimensional Bose-gas. The chemical potential of normal helium contains an additional (compared to the superfluid one) quantity, which depends on temperature. Within the framework of the approach it is predicted that the film thickness increases with its transition to a superfluide state. It is also predicted that under certain conditions normal and superfluid films of different thicknesses may coexist.
Мне приятно выразить свою признательность В.Н. Григорьеву, Ю.З. Ковдре, С.С. Соколову и С.И. Шевченко за обсуждение результатов работы Я признателен также Japan Society for the Promotion of Science за предоставленную возможность проведения исследований в Японии.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
The effect of superfluid transition on adsorption of thin helium films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
spellingShingle Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
Сивоконь, В.Е.
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
title_short Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_full Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_fullStr Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_full_unstemmed Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_sort влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
author Сивоконь, В.Е.
author_facet Сивоконь, В.Е.
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
publishDate 2006
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt The effect of superfluid transition on adsorption of thin helium films
description Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано увеличение толщины плeнки при еe переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также, что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с различными толщинами. Запропоновано підхід для розрахунку хімічного потенціалу тонкої гелієвої плівки, яка знаходиться у рівновазі з паром. При розрахунку хімічного потенціалу поверхневий шар атомів гелію, що контактує з паром, розглядається як двовимірна система. Хімічний потенціал надплинного гелію апроксимується хімічним потенціалом ідеального двовимірного бозе-газу, а хімічний потенціал нормального гелію має у порівнянні з надплинним гелієм додаткову величину, що залежить від температури. У рамках підходу передбачено збільшення товщини плівки при її переході у надплинний стан. Передбачено також, що за деяких умов нормальна та надплинна плівки з різними товщинами можуть співіснувати. An approach for calculations of the chemical potential of a helium film in equilibrium with vapor is proposed. For the calculations the surface layer of helium atoms, contacting with vapor is considered as a two-dimensional system. The superfluid helium chemical potential is approximated with the chemical potential of the ideal two-dimensional Bose-gas. The chemical potential of normal helium contains an additional (compared to the superfluid one) quantity, which depends on temperature. Within the framework of the approach it is predicted that the film thickness increases with its transition to a superfluide state. It is also predicted that under certain conditions normal and superfluid films of different thicknesses may coexist.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120013
citation_txt Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sivokonʹve vliâniesverhtekučegoperehodanaadsorbciûtonkihgelievyhplenok
AT sivokonʹve theeffectofsuperfluidtransitiononadsorptionofthinheliumfilms
first_indexed 2025-12-07T19:19:54Z
last_indexed 2025-12-07T19:19:54Z
_version_ 1850878402186182656