Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
Изучены осцилляции Шубникова–де Гааза в двумерном дырочном газе в квантовой яме из
 чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок p(H) 5,68·10¹¹ см²
 и подвижностью μ= 4,68·10⁴ см²
 ·В⁻¹·с⁻¹ в магнитных полях до 15 Тл при температуре от 40 мК
...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Комник, Ю.Ф., Беркутов, И.Б., Андриевский, В.В, Миронов, О.А., Миронов, М., Ледли, Д. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120040 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe / Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский, О.А. Миронов, М. Миронов, Д. Ледли // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 109-114. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Осцилляции Шубникова-де Гааза проводимости двумерного дырочного газа в квантовых ямах на основе германия и кремния. Определение эффективной массы и g-фактора
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
за авторством: Андриевский, В.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Андриевский, В.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2005)
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Двухкаскадные модули на основе Bi2Te3 и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Mikhailovsky, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mikhailovsky, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Пружнi деформацiї в SiGe-гетероструктурах з квантовими точками неоднорiдного складу
за авторством: Kuryliuk, V. V.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kuryliuk, V. V.
Опубліковано: (2018)
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
Эффект Шубникова-де Гааза и высокое давление
за авторством: Ицкевич, Е.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ицкевич, Е.С.
Опубліковано: (2001)
Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006) -
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000) -
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004) -
Осцилляции Шубникова-де Гааза проводимости двумерного дырочного газа в квантовых ямах на основе германия и кремния. Определение эффективной массы и g-фактора
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2009) -
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)