К теории формирования равновесной доменной структуры в антиферромагнетиках

• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Гомонай, Е.В., Локтев, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120051
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: К теории формирования равновесной доменной структуры в антиферромагнетиках / Е.В. Гомонай, В.М. Локтев // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 10. — С. 1071–1085. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Предложена модель, описывающая формирование и обратимую перестройку равновесной доменной структуры в массивных антиферромагнетиках с достаточно сильным магнитоупругим взаимодействием. Модель основана на предположении о существовании микроскопического параметра порядка тензорной природы — тензора микронапряжений, возникающего в процессе формирования магнитного момента вследствие магнитоупругих взаимодействий. Учет такого параметра необходим для адекватного описания как макроскопических внутренних напряжений и соответствующих им спонтанных деформаций, так и микроструктуры кристалла (например, доменной структуры). Возникающие локально в каждой элементарной ячейке микронапряжения, с формальной точки зрения, эквивалентны упругим диполям и создают дальнодействующие поля, вклад которых в свободную энергию кристалла аналогичен вкладу магнитостатической энергии в ферромагнетиках и благоприятствует уменьшению макроскопической деформации образца за счет формирования равновесной доменной структуры. Соответствующий вклад назван нами «энергией раздеформирования». Показано, что учет этой энергии в антиферромагнитных кристаллах позволяет не только объяснить причины формирования доменной структуры, но и проследить ее зависимость от формы кристалла и внешних полей.