Зображення обкладинки

Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation

Classical molecular-dynamics simulations were carried out to study epitaxial growth of graphene on 6H-SiC(0001) substrate. It was found that there exists a threshold annealing temperature above which we observe formation of graphitic structure on the substrate. To check the sensitivity of the simula...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Condensed Matter Physics
Дата:	2011
Автори:	Jakse, N., Arifin, R., Lai, S.K.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2011
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120056
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation / N. Jakse, R. Arifin, S.K. Lai // Condensed Matter Physics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 43802:1-7. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Photoelectric memory in 6H-SiC
за авторством: Duisenbaev, M.
Опубліковано: (2004)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
за авторством: Agueev, O.A., та інші
Опубліковано: (2000)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)

Field emission properties of pointed cathodes based on graphene films on SiC
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2016)

Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
за авторством: A. N. Nazarov, та інші
Опубліковано: (2013)

Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2013)

Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC
за авторством: Melnichuk, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)

Surface polaritons in 6H-SiC single crystals placed in a strong uniform magnetic field
за авторством: Ye. F. Venher, та інші
Опубліковано: (2010)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)

Investigation of the effect of SiC content on the microstructure, physical properties and hardness of SiC/Ni composites
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019)

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)

Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2014)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency
за авторством: P. R. Tripathy, та інші
Опубліковано: (2011)