Neutral and charged excitons in a CdTe-based quantum well
We present a summary of our spectroscopic studies of the oscillator strength of transitions related to the formation of neutral and positively charged excitons in modulation p-doped CdTe-based quantum wells. The hole concentration was controlled in the range from 10¹⁰ cm⁻² to 10¹¹ cm⁻². Continuou...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | Gaj, J.A., Kossacki, P., Płochocka, P., Maślana, W., Cibert, J., Tatarenko, S., Radzewicz, C. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120162 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Neutral and charged excitons in a CdTe-based quantum well / J.A. Gaj, P. Kossacki, P. Płochocka, W. Maślana, J. Cibert, S. Tatarenko, and C. Radzewicz // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1133–1138. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Polariton luminescence in crystals of the CdTe type, taking into account the damping of excitons
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2012)
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
О природе анизотропии сопротивления монокристаллов Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разным содержанием церия и кислорода
за авторством: Пономарев, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Пономарев, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Электронные свойства и сверхпроводимость низкоразмерных углеродных структур
за авторством: Кульбачинский, В.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кульбачинский, В.А.
Опубліковано: (2004)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Contact electrodeposition of CdTe thin films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Nanodimensional formations on the CdTe and ZnₓCd₁₋ₓTe surfaces at chemical etching
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)
Investigation of the direct/indirect exciton transition in the double quantum well system based on Cd₁₋yMgyTe/ Cd₁₋xMnxTe in applied magnetic field
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lev, S.B., та інші
Опубліковано: (2007)
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2012)
Thin film solar cells on CdS/CdTe/ITO base
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Khrypunov, G.S.
Опубліковано: (2005)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Self-purification effect in CdTe:Gd crystals
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Structure and optical properties of CdS polycrystalline layers for solar cells based on CdS/CdTe
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Temperature dependences of the heat capacity of sphalerite crystals of CdS, CdSe, CdTe cadmium chalcogenides
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014) -
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005) -
Polariton luminescence in crystals of the CdTe type, taking into account the damping of excitons
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2004)