Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типа при
 ширине слоев Ge более ~30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных
 подслоя, сосредоточенных у противоположных границ слоя. Это следует из исчезновения плато
 квантовог...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120163 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов / М.В. Якунин, Г.А. Альшанский, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, О.А. Кузнецов, А. де Виссер, Л. Пономаренко // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1139–1145. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862598671808331776 |
|---|---|
| author | Якунин, М.В. Альшанский, Г.А. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Кузнецов, О.А. де Виссер, А. Пономаренко, Л. |
| author_facet | Якунин, М.В. Альшанский, Г.А. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Кузнецов, О.А. де Виссер, А. Пономаренко, Л. |
| citation_txt | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов / М.В. Якунин, Г.А. Альшанский, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, О.А. Кузнецов, А. де Виссер, Л. Пономаренко // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1139–1145. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типа при
ширине слоев Ge более ~30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных
подслоя, сосредоточенных у противоположных границ слоя. Это следует из исчезновения плато
квантового эффекта Холла и соответствующего минимума продольного магнитосопротивления
для фактора заполнения ν= 1. При этом наблюдается положительное магнитосопротивление,
которое мы связываем с наличием двух типов дырок с разными подвижностями.
Количественный анализ показывает, что это в основном тяжелые дырки, имеющие разные подвижности
в сформировавшихся подслоях. Различие подвижностей указывает на разное качество
противоположных гетерограниц слоев Ge. Из анализа вида плато квантового эффекта Холла
при ν = 2 следует, что концентрации дырок в сформировавшихся подслоях близки,
следовательно, профиль потенциальных ям близок к симметричному.
Показано, що в періодичній системі квантових ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типу при ширин
і шарів Ge більш ~30 нм дірковий газ у кожнім шарі Ge розділяється на два двовимірних
підшари, зосереджених у протилежних границь шару. Це випливає зі зникнення плато квантового
ефекту Холла і відповідного мінімуму подовжнього магнітоопору для фактора заповнення
ν = 1. При цьому спостерігається позитивний магнітоопір, який ми зв'язуємо з наявністю двох
типів дірок з різними рухливостями. Кількісний аналіз показує, що це в основному важкі
дірки, що мають різні рухливості в підшарах, що сформувалися. Розходження рухливостей
указує на різну якість протилежних гетерограниць шарів Ge. З аналізу виду плато квантового
ефекту Холла при ν= 2 випливає, що концентрації дірок у підшарах, що сформувалися,
близькі, отже, профіль потенційних ям близький до симетричного.
The hole gas within Ge layers of the multilayered
p-type Ge/Ge₁₋xSix heterosystem is
shown to be separated into two 2D sublayers located
at the opposite Ge interfaces for layers
wider than ~ 30 nm. This is evident from the
disappearance of the quantum Hall plateau and
concomitant magnetoresistance minimum for the
filling factor ν = 1. A positive magnetoresistance
also arise in this case which is attributed to the
existence of two kinds of holes of different mobilities.
The quantitative analysis indicates that
these are mainly heavy holes of different mobilities
within the self-formed sublayers. The difference
in mobilities suggests different qualities of
the normal and inverted interfaces of the Ge
layers. The considerable width of the ν = 2
quantum Hall plateau and its correct vertical position
indicate that the hole densities within the
self-formed sublayers are similar, and thus the
potential profile is (at least nearly) symmetrical.
|
| first_indexed | 2025-11-27T20:03:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120163 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T20:03:31Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Якунин, М.В. Альшанский, Г.А. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Кузнецов, О.А. де Виссер, А. Пономаренко, Л. 2017-06-11T08:09:22Z 2017-06-11T08:09:22Z 2004 Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов / М.В. Якунин, Г.А. Альшанский, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, О.А. Кузнецов, А. де Виссер, Л. Пономаренко // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1139–1145. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.50.Jt, 73.20.–r https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120163 Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типа при
 ширине слоев Ge более ~30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных
 подслоя, сосредоточенных у противоположных границ слоя. Это следует из исчезновения плато
 квантового эффекта Холла и соответствующего минимума продольного магнитосопротивления
 для фактора заполнения ν= 1. При этом наблюдается положительное магнитосопротивление,
 которое мы связываем с наличием двух типов дырок с разными подвижностями.
 Количественный анализ показывает, что это в основном тяжелые дырки, имеющие разные подвижности
 в сформировавшихся подслоях. Различие подвижностей указывает на разное качество
 противоположных гетерограниц слоев Ge. Из анализа вида плато квантового эффекта Холла
 при ν = 2 следует, что концентрации дырок в сформировавшихся подслоях близки,
 следовательно, профиль потенциальных ям близок к симметричному. Показано, що в періодичній системі квантових ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типу при ширин
 і шарів Ge більш ~30 нм дірковий газ у кожнім шарі Ge розділяється на два двовимірних
 підшари, зосереджених у протилежних границь шару. Це випливає зі зникнення плато квантового
 ефекту Холла і відповідного мінімуму подовжнього магнітоопору для фактора заповнення
 ν = 1. При цьому спостерігається позитивний магнітоопір, який ми зв'язуємо з наявністю двох
 типів дірок з різними рухливостями. Кількісний аналіз показує, що це в основному важкі
 дірки, що мають різні рухливості в підшарах, що сформувалися. Розходження рухливостей
 указує на різну якість протилежних гетерограниць шарів Ge. З аналізу виду плато квантового
 ефекту Холла при ν= 2 випливає, що концентрації дірок у підшарах, що сформувалися,
 близькі, отже, профіль потенційних ям близький до симетричного. The hole gas within Ge layers of the multilayered
 p-type Ge/Ge₁₋xSix heterosystem is
 shown to be separated into two 2D sublayers located
 at the opposite Ge interfaces for layers
 wider than ~ 30 nm. This is evident from the
 disappearance of the quantum Hall plateau and
 concomitant magnetoresistance minimum for the
 filling factor ν = 1. A positive magnetoresistance
 also arise in this case which is attributed to the
 existence of two kinds of holes of different mobilities.
 The quantitative analysis indicates that
 these are mainly heavy holes of different mobilities
 within the self-formed sublayers. The difference
 in mobilities suggests different qualities of
 the normal and inverted interfaces of the Ge
 layers. The considerable width of the ν = 2
 quantum Hall plateau and its correct vertical position
 indicate that the hole densities within the
 self-formed sublayers are similar, and thus the
 potential profile is (at least nearly) symmetrical. Работа выполнена при поддержке РФФИ, проекты
 02-02-16401, 04-02-16614 и программы РАН
 «Физика твердотельных наноструктур». ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкоразмерные и сверхпроводящие системы Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов Magnetotransport probing of quality of the interfaces of quantum wells in the valence band of Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix heterostructures and the symmetry of their potential profile Article published earlier |
| spellingShingle | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов Якунин, М.В. Альшанский, Г.А. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Кузнецов, О.А. де Виссер, А. Пономаренко, Л. Низкоразмерные и сверхпроводящие системы |
| title | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов |
| title_alt | Magnetotransport probing of quality of the interfaces of quantum wells in the valence band of Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix heterostructures and the symmetry of their potential profile |
| title_full | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов |
| title_fullStr | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов |
| title_full_unstemmed | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов |
| title_short | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов |
| title_sort | анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы ge₁₋xsix/ge/ge₁₋xsix с помощью гальваномагнитных эффектов |
| topic | Низкоразмерные и сверхпроводящие системы |
| topic_facet | Низкоразмерные и сверхпроводящие системы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120163 |
| work_keys_str_mv | AT âkuninmv analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT alʹšanskiiga analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT arapovûg analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT neverovvn analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT harusgi analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT šelušininang analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT kuznecovoa analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT devissera analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT ponomarenkol analizkačestvaprotivopoložnyhgeterograniciprofilâpotencialakvantovoiâmyvvalentnoizonegeterosistemyge1xsixgege1xsixspomoŝʹûgalʹvanomagnitnyhéffektov AT âkuninmv magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT alʹšanskiiga magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT arapovûg magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT neverovvn magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT harusgi magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT šelušininang magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT kuznecovoa magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT devissera magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile AT ponomarenkol magnetotransportprobingofqualityoftheinterfacesofquantumwellsinthevalencebandofge1xsixgege1xsixheterostructuresandthesymmetryoftheirpotentialprofile |