Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типа при ширине слоев Ge более ~30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных подслоя, сосредоточенных у противоположных границ слоя. Это следует из исчезновения плато квантового эффекта Холла и соотве...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | Якунин, М.В., Альшанский, Г.А., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Кузнецов, О.А., де Виссер, А., Пономаренко, Л. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120163 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов / М.В. Якунин, Г.А. Альшанский, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, О.А. Кузнецов, А. де Виссер, Л. Пономаренко // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1139–1145. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2012)
Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020)
Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Electrical transport in thin films of glassy Ge₄₀Te₆₀-xSbx alloys
за авторством: Shukla, S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Shukla, S., та інші
Опубліковано: (2010)
Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2014)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical transport in thin films of glassy Ge40Te60-xSbx alloys
за авторством: S. Shukla, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. Shukla, та інші
Опубліковано: (2010)
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)
The structure of glassy HgS–GeS₂
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Electronic structure of Ag₈GeS₆
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)
Topology of Almost Complex Structures on Six-Manifolds
за авторством: Granja, Gustavo, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Granja, Gustavo, та інші
Опубліковано: (2022)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Aluminium-vacancy complexx in Ge₁₋ₓCₓ
за авторством: Chroneos, A.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Chroneos, A.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Optical properties of Ge-As-S thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)
Quantum confinement effects in Ge nanocrystals
за авторством: Miranda, A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Miranda, A., та інші
Опубліковано: (2005)
Высокотемпературные термодинамические характеристики ErGe
за авторством: Горбачук, Н.П., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Горбачук, Н.П., та інші
Опубліковано: (2010)
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Some Algebraic Aspects of the Inhomogeneous Six-Vertex Model
за авторством: Bazhanov, Vladimir V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Bazhanov, Vladimir V., та інші
Опубліковано: (2021)
Blowing steel of inert gas in six-strand tundish
за авторством: O. M. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. M. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
Results Concerning Almost Complex Structures on the Six-Sphere
за авторством: Wilson, S.O.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Wilson, S.O.
Опубліковано: (2018)
Кристалохімічні особливості інтерметаліду Pr(Ni₀,₂Al₀,₃Ge₀,₅)₁,₈
за авторством: Муць, Н.М., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Муць, Н.М., та інші
Опубліковано: (2017)
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of replacement of Mn by Cr on magnetocaloric properties of quenched NiMn1–xCrxGe alloys
за авторством: E. Zubov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. Zubov, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004) -
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007) -
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002) -
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2012)