Зображення обкладинки

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов

Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типа при ширине слоев Ge более ~30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных подслоя, сосредоточенных у противоположных границ слоя. Это следует из исчезновения плато квантовог...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2004
Автори:	Якунин, М.В., Альшанский, Г.А., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Кузнецов, О.А., де Виссер, А., Пономаренко, Л.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Теми:	Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120163
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов / М.В. Якунин, Г.А. Альшанский, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, О.А. Кузнецов, А. де Виссер, Л. Пономаренко // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1139–1145. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Influence of electron irradiation on spectra of light electroreflection from the surface of Ge/Ge₁₋xSix heterostructure
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2012)

Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020)

Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)

The boson peak and the first sharp diffraction peak in (As₂S₃)ₓ(GeS₂)₁₋ₓ glasses
за авторством: Stronski, A.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Subclustering in six clusters of galaxies
за авторством: Krywult, J.
Опубліковано: (1997)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS₂)₁₀₀₋x(SbSI)x glasses and composites on their basis
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa
за авторством: Моллаев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Electrical transport in thin films of glassy Ge₄₀Te₆₀-xSbx alloys
за авторством: Shukla, S., та інші
Опубліковано: (2010)

Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)

Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2014)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

The structural, mechanical, electronic, optical and thermodynamic properties of t-X₃As₄ (X = Si, Ge and Sn) by first-principles calculations
за авторством: Yang, R., та інші
Опубліковано: (2018)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Topology of Almost Complex Structures on Six-Manifolds
за авторством: Granja, Gustavo, та інші
Опубліковано: (2022)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of photorefractive effect in crystals Pb₅Ge₃O₁₁:Cu and Pb₅Ge₃O₁₁
за авторством: Gnatovsky, O., та інші
Опубліковано: (2001)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Electronic structure of Ag₈GeS₆
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2017)

The structure of glassy HgS–GeS₂
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Electrical transport in thin films of glassy Ge40Te60-xSbx alloys
за авторством: S. Shukla, та інші
Опубліковано: (2010)

Образование двойной квантовой ямы в самосогласованной широкой квантовой яме p-типа
за авторством: Альшанский, Г.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)