Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix) с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) к «металлическому» (dσ/dT < 0) поведению в качественном соответствии с...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120166 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, О.А. Кузнецов, Л. Пономаренко, А. де Виссер // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1157–1161. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix)
с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры
наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) к «металлическому» (dσ/dT < 0) поведению
в качественном соответствии с предсказаниями теории Финкельнштейна. В перпендикулярном
к плоскости 2D-слоя магнитном поле В наблюдается положительное магнитосопротивление
(ПМС), зависящее лишь от отношения B/T. Мы связываем эффект ПМС с
подавлением триплетного канала фермижидкостного электрон-электронного взаимодействия
магнитным полем вследствие сильного зеемановского расщепления уровней энергии дырок.
У двовимірній (2D) діркової системі (багатошарові гетероструктури p-Ge/Ge₁₋xSix) із
провідністю σ ≈ e²/h при низьких температурах (T ≈1,5 К) при зниженні температури спостер
ігається перехід від діелектричного (dσ/dT > 0) до «металевого» (dσ/dT < 0) поводженню
в якісній відповідності із завбаченнями теорії Финкельнштейна. У перпендикулярному до
площини 2D-шарa магнітному полі В спостерігається позитивний магнитоопір (ПМО), що залежить
лише від відношення B/T. Ми зв’язуємо ефект ПМО із подавленням триплетного каналу
фермірідинної електрон-електронної взаємодії магнітним полем унаслідок сильного
зеєманівського розщеплення рівнів енергії дірок.
A two-dimensional (2D) hole system (multilayer
p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures) of conductivity
σ ≈ e²/h displays a transition from dielectric
(dσ/dT > 0) to metallic (dσ/dT < 0)
behavior at low temperatures (T ≈ 1,5 Ê), in
qualitative agreement with the Finkelshtein theory.
For magnetic field B perpendicular to the
2D plane a positive magnetoresistance (PMR)
depending only on ratio B/T is observed. The
PMR effect is supposed to be due to the suppression
of the triplet channel of Fermi-liqued electron-
electron interaction by magnetic field because
of the high Zeeman splitting in the hole
spectrum.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |