Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix) с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) к «металлическому» (dσ/dT < 0) поведению в качественном соответствии с...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Кузнецов, О.А., Пономаренко, Л., де Виссер, А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120166 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, О.А. Кузнецов, Л. Пономаренко, А. де Виссер // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1157–1161. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2004)
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2004)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
by: Arapov, Yu.G., et al.
Published: (2007)
by: Arapov, Yu.G., et al.
Published: (2007)
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
by: Deibuk, V.G., et al.
Published: (2002)
by: Deibuk, V.G., et al.
Published: (2002)
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
by: Studenyak, I.P., et al.
Published: (2012)
by: Studenyak, I.P., et al.
Published: (2012)
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
by: I. P. Studenyak, et al.
Published: (2012)
by: I. P. Studenyak, et al.
Published: (2012)
Немонотонная температурная зависимость cпонтанной намагниченности антиферромагнитного кристалла LiCoPO₄
by: Харченко, Н.Ф., et al.
Published: (2002)
by: Харченко, Н.Ф., et al.
Published: (2002)
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2013)
Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
by: Abbasov, Sh.M., et al.
Published: (2006)
by: Abbasov, Sh.M., et al.
Published: (2006)
Переход металл–диэлектрик, магнитосопротивление и магнитные свойства сульфидов 3d-элементов (Обзор)
by: Абрамова, Г.М., et al.
Published: (2006)
by: Абрамова, Г.М., et al.
Published: (2006)
Эффективное поле и фазовый переход металл—диэлектрик в модели Хаббарда
by: Зубов, Э.Е.
Published: (2016)
by: Зубов, Э.Е.
Published: (2016)
Металл–диэлектрик переходы и магнитная восприимчивость в легированных купратных соединениях
by: Джуманов, С., et al.
Published: (2016)
by: Джуманов, С., et al.
Published: (2016)
Фаза Гриффитса и переход металл–диэлектрик в замещенных манганитах (Обзор)
by: Криворучко, В.Н.
Published: (2014)
by: Криворучко, В.Н.
Published: (2014)
Универсальный характер туннельной проводимости гетероструктур металл-изолятор-металл с наноразмерными оксидными прослойками
by: Белоголовский, М.А., et al.
Published: (2011)
by: Белоголовский, М.А., et al.
Published: (2011)
Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
by: L. O. Fedyna, et al.
Published: (2020)
by: L. O. Fedyna, et al.
Published: (2020)
Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле
by: Боголюбский, А.С., et al.
Published: (2017)
by: Боголюбский, А.С., et al.
Published: (2017)
Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром
by: Иванов, М.А., et al.
Published: (1996)
by: Иванов, М.А., et al.
Published: (1996)
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
by: Беркутов, И.Б., et al.
Published: (2000)
by: Беркутов, И.Б., et al.
Published: (2000)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
by: Зінченко, В.Ф., et al.
Published: (2013)
by: Зінченко, В.Ф., et al.
Published: (2013)
Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
by: V. F. Zinchenko, et al.
Published: (2013)
by: V. F. Zinchenko, et al.
Published: (2013)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
Роль электронов проводимости в формировании теплового сопротивления границы металл–диэлектрик и электросопротивление металлических пленок при низких температурах (Обзор)
by: Безуглый, А.И., et al.
Published: (2016)
by: Безуглый, А.И., et al.
Published: (2016)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2017)
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2017)
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2017)
Необратимое воздействие магнитного поля на динамический модуль сдвига висмутовой керамики
by: Лазарев, Б.Г., et al.
Published: (2003)
by: Лазарев, Б.Г., et al.
Published: (2003)
Рентгеновское исследование структурообразования при разнонаправленном деформировании ниобий-титанового сплава
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2007)
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2007)
Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
by: Дарсавелидзе, Г.Ш., et al.
Published: (2013)
by: Дарсавелидзе, Г.Ш., et al.
Published: (2013)
Обнаружение разорванных магнитных квантованных вихрей Абрикосова в керамических иттриевых ВТСП образцах
by: Хирный, В.Ф., et al.
Published: (2000)
by: Хирный, В.Ф., et al.
Published: (2000)
Анализ информационных потоков по сверхпроводимости висмутовой и иттриевой керамик
by: Шепелев, А.Г., et al.
Published: (2003)
by: Шепелев, А.Г., et al.
Published: (2003)
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
by: P. I. Baranskyi, et al.
Published: (2016)
by: P. I. Baranskyi, et al.
Published: (2016)
The structure of glassy HgS–GeS₂
by: Halyan, V.V., et al.
Published: (2005)
by: Halyan, V.V., et al.
Published: (2005)
Electronic structure of Ag₈GeS₆
by: Bletskan, D.I., et al.
Published: (2017)
by: Bletskan, D.I., et al.
Published: (2017)
Анализ информационных потоков по сверхпроводимости NbTi и Nb₃Sn
by: Шепелев, А.Г., et al.
Published: (2002)
by: Шепелев, А.Г., et al.
Published: (2002)
Диссипативные, механические и сверхпроводящие свойства иттриевой втсп керамики в различных структурных состояниях
by: Оковит, В.С., et al.
Published: (2004)
by: Оковит, В.С., et al.
Published: (2004)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
by: Horvath, Zs.J., et al.
Published: (2004)
by: Horvath, Zs.J., et al.
Published: (2004)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2007)
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2007)
Aluminium-vacancy complexx in Ge₁₋ₓCₓ
by: Chroneos, A.I., et al.
Published: (2007)
by: Chroneos, A.I., et al.
Published: (2007)
Optical properties of Ge-As-S thin films
by: Tolmachov, I.D., et al.
Published: (2009)
by: Tolmachov, I.D., et al.
Published: (2009)
Quantum confinement effects in Ge nanocrystals
by: Miranda, A., et al.
Published: (2005)
by: Miranda, A., et al.
Published: (2005)
Similar Items
-
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2004) -
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
by: Arapov, Yu.G., et al.
Published: (2007) -
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
by: Deibuk, V.G., et al.
Published: (2002) -
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
by: Studenyak, I.P., et al.
Published: (2012) -
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
by: I. P. Studenyak, et al.
Published: (2012)