Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix) с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) к «металлическому» (dσ/dT < 0) поведению в качественном соответствии с...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Кузнецов, О.А., Пономаренко, Л., де Виссер, А. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120166 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, О.А. Кузнецов, Л. Пономаренко, А. де Виссер // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1157–1161. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
von: Studenyak, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Studenyak, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
von: I. P. Studenyak, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: I. P. Studenyak, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Немонотонная температурная зависимость cпонтанной намагниченности антиферромагнитного кристалла LiCoPO₄
von: Харченко, Н.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Харченко, Н.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
von: Abbasov, Sh.M., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Abbasov, Sh.M., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Переход металл–диэлектрик, магнитосопротивление и магнитные свойства сульфидов 3d-элементов (Обзор)
von: Абрамова, Г.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Абрамова, Г.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Эффективное поле и фазовый переход металл—диэлектрик в модели Хаббарда
von: Зубов, Э.Е.
Veröffentlicht: (2016)
von: Зубов, Э.Е.
Veröffentlicht: (2016)
Металл–диэлектрик переходы и магнитная восприимчивость в легированных купратных соединениях
von: Джуманов, С., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Джуманов, С., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Фаза Гриффитса и переход металл–диэлектрик в замещенных манганитах (Обзор)
von: Криворучко, В.Н.
Veröffentlicht: (2014)
von: Криворучко, В.Н.
Veröffentlicht: (2014)
Универсальный характер туннельной проводимости гетероструктур металл-изолятор-металл с наноразмерными оксидными прослойками
von: Белоголовский, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Белоголовский, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
von: L. O. Fedyna, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: L. O. Fedyna, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле
von: Боголюбский, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Боголюбский, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром
von: Иванов, М.А., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Иванов, М.А., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
von: Зінченко, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Зінченко, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
von: V. F. Zinchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. F. Zinchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Роль электронов проводимости в формировании теплового сопротивления границы металл–диэлектрик и электросопротивление металлических пленок при низких температурах (Обзор)
von: Безуглый, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Безуглый, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Необратимое воздействие магнитного поля на динамический модуль сдвига висмутовой керамики
von: Лазарев, Б.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Лазарев, Б.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Рентгеновское исследование структурообразования при разнонаправленном деформировании ниобий-титанового сплава
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
von: Дарсавелидзе, Г.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дарсавелидзе, Г.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Обнаружение разорванных магнитных квантованных вихрей Абрикосова в керамических иттриевых ВТСП образцах
von: Хирный, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Хирный, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Анализ информационных потоков по сверхпроводимости висмутовой и иттриевой керамик
von: Шепелев, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Шепелев, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2016)
The structure of glassy HgS–GeS₂
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Electronic structure of Ag₈GeS₆
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Анализ информационных потоков по сверхпроводимости NbTi и Nb₃Sn
von: Шепелев, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Шепелев, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Диссипативные, механические и сверхпроводящие свойства иттриевой втсп керамики в различных структурных состояниях
von: Оковит, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Оковит, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Aluminium-vacancy complexx in Ge₁₋ₓCₓ
von: Chroneos, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Chroneos, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Optical properties of Ge-As-S thin films
von: Tolmachov, I.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Tolmachov, I.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Quantum confinement effects in Ge nanocrystals
von: Miranda, A., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Miranda, A., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
von: Studenyak, I.P., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
von: I. P. Studenyak, et al.
Veröffentlicht: (2012)