Зображення обкладинки

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик

В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix) с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) к «металлическому» (dσ/dT < 0) поведению в...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2004
Автори:	Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В., Кузнецов, О.А., Пономаренко, Л., де Виссер, А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Теми:	Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120166
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, О.А. Кузнецов, Л. Пономаренко, А. де Виссер // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1157–1161. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of electron irradiation on spectra of light electroreflection from the surface of Ge/Ge₁₋xSix heterostructure
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2012)

Немонотонная температурная зависимость cпонтанной намагниченности антиферромагнитного кристалла LiCoPO₄
за авторством: Харченко, Н.Ф., та інші
Опубліковано: (2002)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Переход металл–диэлектрик, магнитосопротивление и магнитные свойства сульфидов 3d-элементов (Обзор)
за авторством: Абрамова, Г.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020)

Эффективное поле и фазовый переход металл—диэлектрик в модели Хаббарда
за авторством: Зубов, Э.Е.
Опубліковано: (2016)

Фаза Гриффитса и переход металл–диэлектрик в замещенных манганитах (Обзор)
за авторством: Криворучко, В.Н.
Опубліковано: (2014)

Металл–диэлектрик переходы и магнитная восприимчивость в легированных купратных соединениях
за авторством: Джуманов, С., та інші
Опубліковано: (2016)

Образование двойной квантовой ямы в самосогласованной широкой квантовой яме p-типа
за авторством: Альшанский, Г.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Температурная зависимость критического тока гетероструктур YBCO-STO-LCMO вблизи Tc
за авторством: Хохлов, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Универсальный характер туннельной проводимости гетероструктур металл-изолятор-металл с наноразмерными оксидными прослойками
за авторством: Белоголовский, М.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Примесные состояния и переход металл-диэлектрик в 2D системах с гибридизированным спектром
за авторством: Иванов, М.А., та інші
Опубліковано: (1996)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)

Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле
за авторством: Боголюбский, А.С., та інші
Опубліковано: (2017)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Искусственный диэлектрик, образованный сферическими диэлектрическими рассеивателями
за авторством: Брызгалов, Г.А.
Опубліковано: (2004)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик–ферромагнитный металл в тонких пленках Pr₀,₆La₀,₁Ca₀,₃MnO₃
за авторством: Aleshkevych, P., та інші
Опубліковано: (2004)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Об исследовании поглощения ультразвука в промежуточном состоянии сверхпроводников
за авторством: Шепелев, А.Г.
Опубліковано: (2003)

Роль электронов проводимости в формировании теплового сопротивления границы металл–диэлектрик и электросопротивление металлических пленок при низких температурах (Обзор)
за авторством: Безуглый, А.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Необратимое воздействие магнитного поля на динамический модуль сдвига висмутовой керамики
за авторством: Лазарев, Б.Г., та інші
Опубліковано: (2003)

Рентгеновское исследование структурообразования при разнонаправленном деформировании ниобий-титанового сплава
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of photorefractive effect in crystals Pb₅Ge₃O₁₁:Cu and Pb₅Ge₃O₁₁
за авторством: Gnatovsky, O., та інші
Опубліковано: (2001)