Неоднородное протекание тока в переходах сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник
Созданы сверхпроводниковые структуры типа сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник
 на основе пленок из молибден-рениевого сплава. Полученные экспериментально ВАХ сравниваются с теоретическими, рассчитанными в рамках моделей множественных андреевских отражений квазичастиц. Обсуждается неодноро...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120216 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Неоднородное протекание тока в переходах
 сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник / В.Е. Шатерник, А.Н. Иванюта, А.В. Шатерник // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 832–837. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Созданы сверхпроводниковые структуры типа сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник
на основе пленок из молибден-рениевого сплава. Полученные экспериментально ВАХ сравниваются с теоретическими, рассчитанными в рамках моделей множественных андреевских отражений квазичастиц. Обсуждается неоднородное протекание тока через тонкую пленку фуллерена.
Створено надпровідникові структури типу надпровідник–фулерен–надпровідник на основі
плівок з молібден-ренієвого сплаву. Одержані експериментально ВАХ порівнюються з теоретичними, які розраховані в рамках моделей багаторазових андрієвських відбивань. Обговорюється неоднорідне протікання струму крізь тонку плівку фулерена.
Superconductor–fullerene–superconductor structures
based on molybdenum-rhenium thin films are
realized. The measured I–V characteristics are compared
with the theoretical ones calculated in terms
of the multiple Andreev reflection models with the
universal distribution function for transparency of
disordered interfaces which are used as a barrier.
The Nonuniform electrical current flow through
the fullerene thin film is discussed.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |