Неоднородное протекание тока в переходах сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник

Созданы сверхпроводниковые структуры типа сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник на основе пленок из молибден-рениевого сплава. Полученные экспериментально ВАХ сравниваются с теоретическими, рассчитанными в рамках моделей множественных андреевских отражений квазичастиц. Обсуждается неоднородное про...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2006
Hauptverfasser: Шатерник, В.Е., Иванюта, А.Н., Шатерник, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120216
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Неоднородное протекание тока в переходах сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник / В.Е. Шатерник, А.Н. Иванюта, А.В. Шатерник // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 832–837. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Созданы сверхпроводниковые структуры типа сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник на основе пленок из молибден-рениевого сплава. Полученные экспериментально ВАХ сравниваются с теоретическими, рассчитанными в рамках моделей множественных андреевских отражений квазичастиц. Обсуждается неоднородное протекание тока через тонкую пленку фуллерена. Створено надпровідникові структури типу надпровідник–фулерен–надпровідник на основі плівок з молібден-ренієвого сплаву. Одержані експериментально ВАХ порівнюються з теоретичними, які розраховані в рамках моделей багаторазових андрієвських відбивань. Обговорюється неоднорідне протікання струму крізь тонку плівку фулерена. Superconductor–fullerene–superconductor structures based on molybdenum-rhenium thin films are realized. The measured I–V characteristics are compared with the theoretical ones calculated in terms of the multiple Andreev reflection models with the universal distribution function for transparency of disordered interfaces which are used as a barrier. The Nonuniform electrical current flow through the fullerene thin film is discussed.
ISSN:0132-6414