Неоднородное протекание тока в переходах сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник

Созданы сверхпроводниковые структуры типа сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник
 на основе пленок из молибден-рениевого сплава. Полученные экспериментально ВАХ сравниваются с теоретическими, рассчитанными в рамках моделей множественных андреевских отражений квазичастиц. Обсуждается неодноро...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2006
Main Authors: Шатерник, В.Е., Иванюта, А.Н., Шатерник, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120216
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Неоднородное протекание тока в переходах
 сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник / В.Е. Шатерник, А.Н. Иванюта, А.В. Шатерник // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 832–837. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Созданы сверхпроводниковые структуры типа сверхпроводник–фуллерен–сверхпроводник
 на основе пленок из молибден-рениевого сплава. Полученные экспериментально ВАХ сравниваются с теоретическими, рассчитанными в рамках моделей множественных андреевских отражений квазичастиц. Обсуждается неоднородное протекание тока через тонкую пленку фуллерена. Створено надпровідникові структури типу надпровідник–фулерен–надпровідник на основі
 плівок з молібден-ренієвого сплаву. Одержані експериментально ВАХ порівнюються з теоретичними, які розраховані в рамках моделей багаторазових андрієвських відбивань. Обговорюється неоднорідне протікання струму крізь тонку плівку фулерена. Superconductor–fullerene–superconductor structures
 based on molybdenum-rhenium thin films are
 realized. The measured I–V characteristics are compared
 with the theoretical ones calculated in terms
 of the multiple Andreev reflection models with the
 universal distribution function for transparency of
 disordered interfaces which are used as a barrier.
 The Nonuniform electrical current flow through
 the fullerene thin film is discussed.
ISSN:0132-6414