Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2000
• Автори: Sachenko, A.V., Gorban, A.P., Kostylyov, V.P.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120224
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers / A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 5-10. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

The interrelation between processes of electron-hole recombination and annihilation of excitons in silicon is examined. It is shown, that recombination processes can be essentially influenced by the exciton annihilation at high concentrations of non-equilibrium or equilibrium charge carriers. In n-t...