Зображення обкладинки

Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon

The radiation defect distribution in boron implanted Si with and without ultrasound (US) treatment have been investigated. Obtained results have shown the significant influence of the in situ US treatment on the defect formation. The defect concentration decreases both in the as-implanted and post-a...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
Автори:	Romanjuk, B., Krüger, D., Melnik, V., Popov, V., Olikh, Ya., Soroka, V., Oberemok, O.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120227
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon / B. Romanjuk, D. Krüger, V. Melnik, V. Popov, Ya. Olikh, V. Soroka, O. Oberemok // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)

About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Radiation-induced effects in silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of ultrasound treatment and dynamic (in-situ) ultrasound loading on the temperature hysteresis of electrophysical characteristics in irradiated n-Si–Fz
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free Cs0.2Hg0.8Te crystals
за авторством: I. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)

The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon
за авторством: Swiatek, Z., та інші
Опубліковано: (2004)

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)

The effect of ultrasound on hydrocarbon filtration in a porous medium
за авторством: Gorovenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2025)

nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2003)

Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999)

Changing the performance of diamond finishing of ceramic balls of boron carbide and silicon nitride
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2021)

Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Study of damage accumulation mechanisms in reinforced aluminum-boron-steel composites during thermal cycling
за авторством: Vishnyakov, L.R., та інші
Опубліковано: (2004)

Brazing filler metal without boron and silicon for brazing of heat-resistant nickel alloy
за авторством: S. V. Maksimova, та інші
Опубліковано: (2017)

Preventive action of silicon nitride at HT-HP sintering of cubic boron nitride
за авторством: I. A. Petrusha, та інші
Опубліковано: (2015)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Sintering and properties of materials based on silicon, boron and titanium carbides obtained by electrospark sintering
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Structure and Radiation Damage of Metallic Glasses
за авторством: Бакай, А.С.
Опубліковано: (2002)

Radiation damage in tungsten target of the "KIPT Neutron Source"
за авторством: Gann, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Radiative recombination of the PVK/C60 molecular complexes with the radiation damages
за авторством: Коbus, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)