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Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon

The radiation defect distribution in boron implanted Si with and without ultrasound (US) treatment have been investigated. Obtained results have shown the significant influence of the in situ US treatment on the defect formation. The defect concentration decreases both in the as-implanted and post-a...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2000
Hauptverfasser: Romanjuk, B., Krüger, D., Melnik, V., Popov, V., Olikh, Ya., Soroka, V., Oberemok, O.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120227
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon / B. Romanjuk, D. Krüger, V. Melnik, V. Popov, Ya. Olikh, V. Soroka, O. Oberemok // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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