Development and optical characteristics of the macroporous silicon structures
The promising material for the 2D photonic structure formation for infrared spectrum range is macroporous silicon. There was investigated the electrochemical process of the cylindrical pore formation on n-Si plates for linear change of applied voltage. The experimental dependences of the regimes of...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | Karachevtseva, L.A., Lytvynenko, O.A., Stronska, O.J. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120231 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Development and optical characteristics of the macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva , O.A. Lytvynenko, O.J. Stronska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 22-25. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Institution
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