Beketov, G., Rashkovetskiy, L., Rengevych, O., & Zhovnir, G. (2000). AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Beketov, G.V, L.V Rashkovetskiy, O.V Rengevych, та G.I Zhovnir. "AFM Study of Micromorphology and Microscopic Growth Mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE Epitaxial Layers." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2000.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Beketov, G.V, et al. "AFM Study of Micromorphology and Microscopic Growth Mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE Epitaxial Layers." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.