Зображення обкладинки

Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si

It is shown theoretically that quantum efficiency of interband radiation in highly purified silicon with low concentration of deep impurities and defects can exceed 10% at room temperatures in the case of negligibly small surface recombination. Dependencies of quantum efficiency on intensity and wav...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	1999
Автори:	Sachenko, A.V., Kryuchenko, Yu.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120242
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si / A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 55-60. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Interband optical transitions in spherical nanoheterostructures
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Efficiency a-Si:H solar cell. Detailed theory
за авторством: Kryuchenko, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Effects of interband phototunneling and filling the bands in electroreflectance spectra of germanium
за авторством: Gentsar, P.A., та інші
Опубліковано: (2003)

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of surface dimensional effects and interband transitions on absorption of light in aluminium
за авторством: Mеlnichenko, L.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)

Radiative recombination of the PVK/C60 molecular complexes with the radiation damages
за авторством: Коbus, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)

Monitoring and Evaluation of the Quality and Efficiency of Social Services: Applied Aspect
за авторством: Yu. V. Horemykina
Опубліковано: (2016)

Luminescence of Co1–xZnxO solid solutions at interband excitation
за авторством: N. B. Gruzdev, та інші
Опубліковано: (2015)

Interband absorption and its relation to the electronic structure of Co-Cr solid solutions
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2013)

Interband absorption and its relation to the electronic structure of Co-Cr solid solutions
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Efficiency of a-Si :H solar cell. Detailed theory
за авторством: Yu. V. Kryuchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Increasing of the expression of recombinant scFv-antibodies efficiency
за авторством: O. V. Galkin, та інші
Опубліковано: (2017)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)

High-efficiency cadmium telluride detectors of X- and γ-radiation
за авторством: O. L. Maslianchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

High-efficiency cadmium telluride detectors of X- and γ-radiation
за авторством: O. L. Maslyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

The concept and evaluating of big data quality in the semantic environment
за авторством: Novitsky, A.V.
Опубліковано: (2023)

The concept and evaluating of big data quality in the semantic environment
за авторством: Novitsky, A.V.
Опубліковано: (2022)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Evaluating the Quality of Bank Assets
за авторством: A. V. Mostenets
Опубліковано: (2016)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Calculating the Economic Efficiency of the Introduction of New Methods for Evaluating Quality of Berries and Cultivated Mushrooms
за авторством: D. M. Odarchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiative recombination in BiI₃(Mn) and BiI₃(Cr) layered single crystals
за авторством: Motsnyi, F.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)