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Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si

It is shown theoretically that quantum efficiency of interband radiation in highly purified silicon with low concentration of deep impurities and defects can exceed 10% at room temperatures in the case of negligibly small surface recombination. Dependencies of quantum efficiency on intensity and wav...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	1999
Hauptverfasser:	Sachenko, A.V., Kryuchenko, Yu.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120242
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si / A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 55-60. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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