Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
The undersurface damaged layers of the silicon wafers were studied by electroreflectance method. These damaged layers could be created at cutting or standard treatment (ST) of the silicon wafers. The silicon substrates were layer by layer etched in the polishing etching solution for investigation of...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | Holiney, R.Yu., Matveeva, L.A., Venger, E.F. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120247 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers / R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 10-12. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
The structure of the undersurface layer of alloys in the region of influence of the relativistic tube-like electron beam and thermodynamic models
за авторством: Klepikov, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Klepikov, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)
The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
Balance model for contactless chemo-mechanical polishing of wafers
за авторством: Grigoriev, N.N., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Grigoriev, N.N., та інші
Опубліковано: (2002)
The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003)
Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C₆₀ fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum-size effects in semiconductor heterosystems
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
за авторством: A. V. Fomin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Fomin, та інші
Опубліковано: (2017)
Model of smoothing roughness on GaAs wafer surface by using nonabrasive chemical-and-mechanical polishing
за авторством: Fomin, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Fomin, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Electronic properties of silicon surface at different oxide film conditions
за авторством: Kirillova, S.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kirillova, S.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Effect of oxidation of catalytically active silicon-based electrodes on water decomposition
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Investigation of photovoltaic and optical properties of self-organized organic-inorganic hybrids using aromatic drugs and patterned silicon
за авторством: Ya. Gorbach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. Gorbach, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of photovoltaic and optical properties of self-organized organic-inorganic hybrids using aromatic drugs and patterned silicon
за авторством: Ya. Gorbach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. Gorbach, та інші
Опубліковано: (2014)
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
за авторством: V. A. Karpyna, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. A. Karpyna, та інші
Опубліковано: (2023)
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Investigation of ZnO single crystals subjected to a high uniform magnetic field in the IR spectral range
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2008)
Dispersion of natural modes in a many-layer planar system
за авторством: Goncharenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Goncharenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Application of nanoindentation for investigation of radiation damage in SS316 stainless steel
за авторством: Tolmachova, G.N., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Tolmachova, G.N., та інші
Опубліковано: (2015)
The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
Coupled Processes of Deformation and Long-Term Damageability of Physically Nonlinear Layered Materials
за авторством: L. P. Khoroshun, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. P. Khoroshun, та інші
Опубліковано: (2013)
Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon
за авторством: Primachenko, V.E, та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Primachenko, V.E, та інші
Опубліковано: (2005)
Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
Investigation by acoustic emission method of the kinetics of damage accumulation at fracture of materials
за авторством: Ja. Nedoseka, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ja. Nedoseka, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of laser radiation on catalytic properties of silicon electrodes covered with a transition metal film and providing water decomposition
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)
Thermostress State of Layered Bodies of Revolution with Allowance for the Damage of Materials under Deformation
за авторством: V. G. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. G. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Further investigations of winter frost damages on hazelnut plants in Northern Italy
за авторством: A. Roversi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Roversi, та інші
Опубліковано: (2013)
FURTHER INVESTIGATIONS OF WINTER FROST DAMAGES ON HAZELNUT PLANTS IN NORTHERN ITALY
за авторством: Roversi, A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Roversi, A., та інші
Опубліковано: (2013)
Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Схожі ресурси
-
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998) -
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (1999) -
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)