Pre- and postmelting of cadmium telluride

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 1999
• Hauptverfasser: Shcherbak, L.P., Feichouk, P.I., Plevachouk, Yu.A., Kopach, O.V., Turyanska, L.T.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120258
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Pre- and postmelting of cadmium telluride / L.P. Shcherbak, P.I. Feichouk, Yu.A. Plevachouk, O.V. Kopach, L.T. Turyanska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 76-80. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

A stepwise character of cadmium telluride melting is shown by using differential thermal analysis and conductivity measurements in the 1323 to 1473 K temperature range. According to the results of differential thermal analysis the parameters of CdTe melting are determined by the premelting processes...