О природе анизотропии сопротивления монокристаллов Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разным содержанием церия и кислорода

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2004
• Main Authors: Пономарев, А.И., Чарикова, Т.Б., Игнатенков, А.Н., Ташлыков, А.О., Иванов, А.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Subjects: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120275
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: О природе анизотропии сопротивления монокристаллов Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разным содержанием церия и кислорода / А.И. Пономарев, Т.Б. Чарикова, А.Н. Игнатенков, А.О. Ташлыков, А.А. Иванов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С.1180–1186. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Приведены результаты исследования температурных зависимостей сопротивления и коэффициента
 анизотропии сопротивления в нормальной фазе монокристаллических пленок
 Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разной степенью легирования церием x и содержанием кислорода δ. Исследованы
 два типа пленок одинаковых составов, выращенных с ориентацией оси c кристалла перпендикулярно
 и параллельно плоскости подложки. Приведены параметры 18 исследованных
 образцов, найденные из анализа проводимости и коэффициента Холла. Приведено результати дослідження температурних залежностей опору і коефіцієнта анізотропії опору в нормальній фазі монокристалічних плівок Nd₂₋хCexCuO₄₊δ з різним ступенем легування
 церієм x і змістом кисню δ. Досліджено два типи плівок однакових складів, вирощених
 з різною орієнтацією осі c кристала перпендикулярно та паралельно площині підкладки.
 Приведено параметри 18 досліджених зразків, що знайдено з аналізу провідності і коефіцієнта
 Холла. The experimental results on temperature dependence
 of resistivity ànd anisotropy coefficient
 of resistivity in the normal phase of single crystal
 films of Nd₂₋хCexCuO₄₊δ with various degree
 of cerium doping x and different oxygen content
 δ are reported. Two sets of films of the same
 content x grown with the c axis of the crystal
 aligned normal and parallel to the substrate surface
 are studied. The parameters of 18 samples
 determined from the analysis of conductivity and
 Hall coefficient are given.