О природе анизотропии сопротивления монокристаллов Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разным содержанием церия и кислорода

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Пономарев, А.И., Чарикова, Т.Б., Игнатенков, А.Н., Ташлыков, А.О., Иванов, А.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Schlagworte: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120275
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: О природе анизотропии сопротивления монокристаллов Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разным содержанием церия и кислорода / А.И. Пономарев, Т.Б. Чарикова, А.Н. Игнатенков, А.О. Ташлыков, А.А. Иванов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С.1180–1186. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Приведены результаты исследования температурных зависимостей сопротивления и коэффициента анизотропии сопротивления в нормальной фазе монокристаллических пленок Nd₂₋хCexCuO₄₊δ с разной степенью легирования церием x и содержанием кислорода δ. Исследованы два типа пленок одинаковых составов, выращенных с ориентацией оси c кристалла перпендикулярно и параллельно плоскости подложки. Приведены параметры 18 исследованных образцов, найденные из анализа проводимости и коэффициента Холла. Приведено результати дослідження температурних залежностей опору і коефіцієнта анізотропії опору в нормальній фазі монокристалічних плівок Nd₂₋хCexCuO₄₊δ з різним ступенем легування церієм x і змістом кисню δ. Досліджено два типи плівок однакових складів, вирощених з різною орієнтацією осі c кристала перпендикулярно та паралельно площині підкладки. Приведено параметри 18 досліджених зразків, що знайдено з аналізу провідності і коефіцієнта Холла. The experimental results on temperature dependence of resistivity ànd anisotropy coefficient of resistivity in the normal phase of single crystal films of Nd₂₋хCexCuO₄₊δ with various degree of cerium doping x and different oxygen content δ are reported. Two sets of films of the same content x grown with the c axis of the crystal aligned normal and parallel to the substrate surface are studied. The parameters of 18 samples determined from the analysis of conductivity and Hall coefficient are given.