Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2004
• Автор: Окулов, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Теми: Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120278
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов
 резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках.
 Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении
 энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности,
 температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных
 резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. Дано узагальнене формулювання підходу Фріделя і розвито теоретичний опис ефектів резонансного
 розсіювання електронів провідності на донорних домішках у напівпровідниках. Детально
 розглянуто стабілізацію електронної концентрації при досягненні енергією Фeрмі
 енергії резонансного рівня, концентраційний максимум рухливості, температурна та концентрац
 ійна залежності магнітної сприйнятливості локалізованих резонансних станів. Обговорюються
 межі застосовності отриманих результатів. On the basis of Friedel’s approach a theoretical
 description of the effects of resonance scattering
 of conduction electrons by donor impurities
 in semiconductors is developed with allowance
 made for the stabilization of electron concentration
 when the Fermi energy coincides with the
 resonance level energy. It is shown that such a
 stabilization gives rise to a maximum in the concentration
 dependence and to its related anomalies
 in the temperature dependences of electron
 mobility. It is also found that in the presence of
 resonance scattering of electrons by donor impurities
 in semiconductors the density of electrons localized
 at impurities makes a contribution to the
 spin susceptibility. The related Curie constant
 displays an unusual dependence on impurity concentration.
 An expression for spin susceptibility
 of electrons scattered by resonance is derived in
 the framework of Friedel’s approach.