Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, конце...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120278 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120278 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Окулов, В.И. 2017-06-11T14:29:47Z 2017-06-11T14:29:47Z 2004 Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120278 Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности, температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. Дано узагальнене формулювання підходу Фріделя і розвито теоретичний опис ефектів резонансного розсіювання електронів провідності на донорних домішках у напівпровідниках. Детально розглянуто стабілізацію електронної концентрації при досягненні енергією Фeрмі енергії резонансного рівня, концентраційний максимум рухливості, температурна та концентрац ійна залежності магнітної сприйнятливості локалізованих резонансних станів. Обговорюються межі застосовності отриманих результатів. On the basis of Friedel’s approach a theoretical description of the effects of resonance scattering of conduction electrons by donor impurities in semiconductors is developed with allowance made for the stabilization of electron concentration when the Fermi energy coincides with the resonance level energy. It is shown that such a stabilization gives rise to a maximum in the concentration dependence and to its related anomalies in the temperature dependences of electron mobility. It is also found that in the presence of resonance scattering of electrons by donor impurities in semiconductors the density of electrons localized at impurities makes a contribution to the spin susceptibility. The related Curie constant displays an unusual dependence on impurity concentration. An expression for spin susceptibility of electrons scattered by resonance is derived in the framework of Friedel’s approach. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 03-02-16246. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках The effects of resonance electron scattering by donor impurities in semiconductors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| spellingShingle |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках Окулов, В.И. Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| title_short |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_full |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_fullStr |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_full_unstemmed |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_sort |
эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| author |
Окулов, В.И. |
| author_facet |
Окулов, В.И. |
| topic |
Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| topic_facet |
Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| publishDate |
2004 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
The effects of resonance electron scattering by donor impurities in semiconductors |
| description |
Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов
резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках.
Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении
энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности,
температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных
резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов.
Дано узагальнене формулювання підходу Фріделя і розвито теоретичний опис ефектів резонансного
розсіювання електронів провідності на донорних домішках у напівпровідниках. Детально
розглянуто стабілізацію електронної концентрації при досягненні енергією Фeрмі
енергії резонансного рівня, концентраційний максимум рухливості, температурна та концентрац
ійна залежності магнітної сприйнятливості локалізованих резонансних станів. Обговорюються
межі застосовності отриманих результатів.
On the basis of Friedel’s approach a theoretical
description of the effects of resonance scattering
of conduction electrons by donor impurities
in semiconductors is developed with allowance
made for the stabilization of electron concentration
when the Fermi energy coincides with the
resonance level energy. It is shown that such a
stabilization gives rise to a maximum in the concentration
dependence and to its related anomalies
in the temperature dependences of electron
mobility. It is also found that in the presence of
resonance scattering of electrons by donor impurities
in semiconductors the density of electrons localized
at impurities makes a contribution to the
spin susceptibility. The related Curie constant
displays an unusual dependence on impurity concentration.
An expression for spin susceptibility
of electrons scattered by resonance is derived in
the framework of Friedel’s approach.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120278 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT okulovvi éffektyrezonansnogorasseâniâélektronovnadonornyhprimesâhvpoluprovodnikah AT okulovvi theeffectsofresonanceelectronscatteringbydonorimpuritiesinsemiconductors |
| first_indexed |
2025-11-24T04:21:17Z |
| last_indexed |
2025-11-24T04:21:17Z |
| _version_ |
1850842072112693248 |