Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Несмелова, И.М., Рыжков, В.Н., Ибрагимова, М.И., Петухов, В.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Schlagworte: Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120284
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного
 твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы
 рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала.
 Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного
 уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации
 электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения
 методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров
 Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В⁺ в образцы р-Hg₁₋xMnxTe
 получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в
 режиме фонового ограничения. Проведено комплексне дослідження електрофізичних властивостей напівмагнітного потр ійного твердого розчину Hg₁₋xMnxTe, альтернативного матеріалу Hg₁₋xCdxTe. Вивчено процеси
 розсіювання носіїв заряду, оптичні, фотоелектричні та магнітні властивості матеріалу.
 Отримано значення ефективних мас електронів та дірок, енергії іонізації акцепторного рівня
 та g-фактора носіїв заряду в залежності від змісту телурида марганцю, концентрації електрон
 ів і дірок при температурах 300 та 77 К. Показано можливість застосування методів
 радіоспектроскопії для діагностики напівмагнітного матеріалу. Методами бар’єрів Шоттки,
 дифузією в парах ртуті й імплантацією іонів B⁺ у зразки p-Hg₁₋xMnxTe отримані фотодіодні
 структури, характеристики яких близькі до значень при роботі в режимі фонового обмеження. The electrophysical properties of semimagnetic
 triple solid solutions of Hg₁₋xMnxTe, an alternative
 material to Hg₁₋xCdxTe, have been investigated.
 The processes of charge carrier scattering
 as well as the optical, photoelectrical and magnetic properties of the material have been studied.
 The effective masses both of electrons and
 holes, the ionization energy of an accepter level,
 the g-factor of charge carriers are measured as a
 function of manganese telluride content, and
 electron and hole concentration at temperatures
 of 300 and 77 K. It is shown that the magnetic
 radiospectroscopy may be used to diagnose semimagnetic
 materials. The application of the Shottky
 barrier method, the diffusion in hydrogen
 vapor and B⁺-implantation into p-Hg₁₋xMnxTe
 the characteristics made it possible to produce
 photodiode structures which were close to those
 occurred, in the background restriction mode.