Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного
 твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы
 рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала.
 Получены з...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120284 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862579514665598976 |
|---|---|
| author | Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю. |
| author_facet | Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю. |
| citation_txt | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного
твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы
рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала.
Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного
уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации
электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения
методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров
Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В⁺ в образцы р-Hg₁₋xMnxTe
получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в
режиме фонового ограничения.
Проведено комплексне дослідження електрофізичних властивостей напівмагнітного потр ійного твердого розчину Hg₁₋xMnxTe, альтернативного матеріалу Hg₁₋xCdxTe. Вивчено процеси
розсіювання носіїв заряду, оптичні, фотоелектричні та магнітні властивості матеріалу.
Отримано значення ефективних мас електронів та дірок, енергії іонізації акцепторного рівня
та g-фактора носіїв заряду в залежності від змісту телурида марганцю, концентрації електрон
ів і дірок при температурах 300 та 77 К. Показано можливість застосування методів
радіоспектроскопії для діагностики напівмагнітного матеріалу. Методами бар’єрів Шоттки,
дифузією в парах ртуті й імплантацією іонів B⁺ у зразки p-Hg₁₋xMnxTe отримані фотодіодні
структури, характеристики яких близькі до значень при роботі в режимі фонового обмеження.
The electrophysical properties of semimagnetic
triple solid solutions of Hg₁₋xMnxTe, an alternative
material to Hg₁₋xCdxTe, have been investigated.
The processes of charge carrier scattering
as well as the optical, photoelectrical and magnetic properties of the material have been studied.
The effective masses both of electrons and
holes, the ionization energy of an accepter level,
the g-factor of charge carriers are measured as a
function of manganese telluride content, and
electron and hole concentration at temperatures
of 300 and 77 K. It is shown that the magnetic
radiospectroscopy may be used to diagnose semimagnetic
materials. The application of the Shottky
barrier method, the diffusion in hydrogen
vapor and B⁺-implantation into p-Hg₁₋xMnxTe
the characteristics made it possible to produce
photodiode structures which were close to those
occurred, in the background restriction mode.
|
| first_indexed | 2025-11-26T19:06:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120284 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T19:06:28Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю. 2017-06-11T14:35:36Z 2017-06-11T14:35:36Z 2004 Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.–d, 72.40.+w, 75.50.–y https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120284 Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного
 твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы
 рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала.
 Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного
 уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации
 электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения
 методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров
 Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В⁺ в образцы р-Hg₁₋xMnxTe
 получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в
 режиме фонового ограничения. Проведено комплексне дослідження електрофізичних властивостей напівмагнітного потр ійного твердого розчину Hg₁₋xMnxTe, альтернативного матеріалу Hg₁₋xCdxTe. Вивчено процеси
 розсіювання носіїв заряду, оптичні, фотоелектричні та магнітні властивості матеріалу.
 Отримано значення ефективних мас електронів та дірок, енергії іонізації акцепторного рівня
 та g-фактора носіїв заряду в залежності від змісту телурида марганцю, концентрації електрон
 ів і дірок при температурах 300 та 77 К. Показано можливість застосування методів
 радіоспектроскопії для діагностики напівмагнітного матеріалу. Методами бар’єрів Шоттки,
 дифузією в парах ртуті й імплантацією іонів B⁺ у зразки p-Hg₁₋xMnxTe отримані фотодіодні
 структури, характеристики яких близькі до значень при роботі в режимі фонового обмеження. The electrophysical properties of semimagnetic
 triple solid solutions of Hg₁₋xMnxTe, an alternative
 material to Hg₁₋xCdxTe, have been investigated.
 The processes of charge carrier scattering
 as well as the optical, photoelectrical and magnetic properties of the material have been studied.
 The effective masses both of electrons and
 holes, the ionization energy of an accepter level,
 the g-factor of charge carriers are measured as a
 function of manganese telluride content, and
 electron and hole concentration at temperatures
 of 300 and 77 K. It is shown that the magnetic
 radiospectroscopy may be used to diagnose semimagnetic
 materials. The application of the Shottky
 barrier method, the diffusion in hydrogen
 vapor and B⁺-implantation into p-Hg₁₋xMnxTe
 the characteristics made it possible to produce
 photodiode structures which were close to those
 occurred, in the background restriction mode. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe Electrophysical properties of semimagnetic solid solutions of Hg₁₋xMnxTe Article published earlier |
| spellingShingle | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю. Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| title | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe |
| title_alt | Electrophysical properties of semimagnetic solid solutions of Hg₁₋xMnxTe |
| title_full | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe |
| title_fullStr | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe |
| title_full_unstemmed | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe |
| title_short | Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe |
| title_sort | электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов hg₁₋xmnxte |
| topic | Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| topic_facet | Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120284 |
| work_keys_str_mv | AT nesmelovaim élektrofizičeskiesvoistvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte AT ryžkovvn élektrofizičeskiesvoistvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte AT ibragimovami élektrofizičeskiesvoistvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte AT petuhovvû élektrofizičeskiesvoistvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte AT nesmelovaim electrophysicalpropertiesofsemimagneticsolidsolutionsofhg1xmnxte AT ryžkovvn electrophysicalpropertiesofsemimagneticsolidsolutionsofhg1xmnxte AT ibragimovami electrophysicalpropertiesofsemimagneticsolidsolutionsofhg1xmnxte AT petuhovvû electrophysicalpropertiesofsemimagneticsolidsolutionsofhg1xmnxte |