Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120313 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Эффекты слабой локализации и взаимодействия
 носителей заряда в двумерном дырочном газе
 в германиевой квантовой яме в гетероструктуре
 SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862578756871258112 |
|---|---|
| author | Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Mironov, O.A. Myronov, M. Leadley, D.R. |
| author_facet | Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Mironov, O.A. Myronov, M. Leadley, D.R. |
| citation_txt | Эффекты слабой локализации и взаимодействия
 носителей заряда в двумерном дырочном газе
 в германиевой квантовой яме в гетероструктуре
 SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК до 10 К в магнитных полях до 15 Тл.
Магнитополевые зависимости сопротивления демонстрируют осцилляции Шубникова–де Гааза
и ступеньки квантового эффекта Холла. В области очень слабых магнитных полей (B < 01, Тл)
выявлен эффект слабой локализации дырок, который определяет отрицательное магнитосопротивление и рост сопротивления с понижением температуры (при T < 2 К). Проявление эффекта
взаимодействия обнаружено и проанализировано в широкой области температур и магнитных
полей. При повышении температуры происходит переход от диффузионного режима проявления квантовой поправки взаимодействия к промежуточному и далее к баллистическому режиму. Во всех областях поведение квантовой поправки взаимодействия хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям.
Вивчено ефекти слабкої локалізації та взаємодії носіїв заряду в двовимірному газі дірок у
квантовій ямі з чистого германію в гетероструктурі SiGe/Ge/SiGe з концентрацією дірок
5,68⋅10¹¹ см⁻² і їх рухомістю 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹. Вимірювання опору проведено при температурах від 46 мК до 10 К у магнітних полях до 15 Тл. Магнітопольові залежності опору демонструють осциляції Шубнікова–де Гааза та сходинки квантового ефекту Холла. В області дуже
слабких магнітних полів (B < 01, Тл) виявлено ефект слабкої локалізації дірок, який визначає
негативний магнітоопір та зростання опору зі зниженням температури (при T < 2 К). Прояв
ефекту взаємодії виявлено та проаналізовано у широких межах температур та магнітних полів.
При підвищенні температури здійснюється перехід від дифузійного режиму прояву квантової
поправки взаємодії до проміжного та далі до балістичного режиму. В усіх вказаних областях
поведінка квантової поправки до провідності, яка обумовлена взаємодією, добре відповідає сучасним теоретичним завбаченням.
The effects of weak localization and interaction
of charge carriers in a two-dimensional
hole gas in a pure Ge quantum well in the
SiGe/Ge/SiGe heterostructure have been investigated.
The hole concentration was 5,68⋅10¹¹ см⁻² 
and mobility4,68⋅10⁴см²⋅V⁻¹⋅ s⁻¹. The resistance
was measured at T = 46 mk—10 K in magnetic
fields up to 15 T. The magnetic field dependences
of resistance exhibit Shubnikov—de
Haas oscillations and steps of the quantum Hall
effect. The effect of weak localization of holes
has been revealed in very weak magnetic fields
(B < 0.1 T). This effect is responsible for a negative
magnetoresistance and a growth of resistance
with lowering temperature (at T < 2 K).
The interaction effect has been detected and
analyzed in a wide range of temperatures and
magnetic fields. As the temperature is increase,
the diffusion regime of existence of the quantum
interaction correction changes first into the
intermediate regime and then to the ballistic
one. In all the regions the behavior of the quantum
interaction-related correction demonstrated
good consistency with current theoretical predictions.
|
| first_indexed | 2025-11-26T17:40:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120313 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T17:40:11Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Mironov, O.A. Myronov, M. Leadley, D.R. 2017-06-11T15:40:55Z 2017-06-11T15:40:55Z 2006 Эффекты слабой локализации и взаимодействия
 носителей заряда в двумерном дырочном газе
 в германиевой квантовой яме в гетероструктуре
 SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 73.20.Fz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120313 Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК до 10 К в магнитных полях до 15 Тл.
 Магнитополевые зависимости сопротивления демонстрируют осцилляции Шубникова–де Гааза
 и ступеньки квантового эффекта Холла. В области очень слабых магнитных полей (B < 01, Тл)
 выявлен эффект слабой локализации дырок, который определяет отрицательное магнитосопротивление и рост сопротивления с понижением температуры (при T < 2 К). Проявление эффекта
 взаимодействия обнаружено и проанализировано в широкой области температур и магнитных
 полей. При повышении температуры происходит переход от диффузионного режима проявления квантовой поправки взаимодействия к промежуточному и далее к баллистическому режиму. Во всех областях поведение квантовой поправки взаимодействия хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям. Вивчено ефекти слабкої локалізації та взаємодії носіїв заряду в двовимірному газі дірок у
 квантовій ямі з чистого германію в гетероструктурі SiGe/Ge/SiGe з концентрацією дірок
 5,68⋅10¹¹ см⁻² і їх рухомістю 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹. Вимірювання опору проведено при температурах від 46 мК до 10 К у магнітних полях до 15 Тл. Магнітопольові залежності опору демонструють осциляції Шубнікова–де Гааза та сходинки квантового ефекту Холла. В області дуже
 слабких магнітних полів (B < 01, Тл) виявлено ефект слабкої локалізації дірок, який визначає
 негативний магнітоопір та зростання опору зі зниженням температури (при T < 2 К). Прояв
 ефекту взаємодії виявлено та проаналізовано у широких межах температур та магнітних полів.
 При підвищенні температури здійснюється перехід від дифузійного режиму прояву квантової
 поправки взаємодії до проміжного та далі до балістичного режиму. В усіх вказаних областях
 поведінка квантової поправки до провідності, яка обумовлена взаємодією, добре відповідає сучасним теоретичним завбаченням. The effects of weak localization and interaction
 of charge carriers in a two-dimensional
 hole gas in a pure Ge quantum well in the
 SiGe/Ge/SiGe heterostructure have been investigated.
 The hole concentration was 5,68⋅10¹¹ см⁻² 
 and mobility4,68⋅10⁴см²⋅V⁻¹⋅ s⁻¹. The resistance
 was measured at T = 46 mk—10 K in magnetic
 fields up to 15 T. The magnetic field dependences
 of resistance exhibit Shubnikov—de
 Haas oscillations and steps of the quantum Hall
 effect. The effect of weak localization of holes
 has been revealed in very weak magnetic fields
 (B < 0.1 T). This effect is responsible for a negative
 magnetoresistance and a growth of resistance
 with lowering temperature (at T < 2 K).
 The interaction effect has been detected and
 analyzed in a wide range of temperatures and
 magnetic fields. As the temperature is increase,
 the diffusion regime of existence of the quantum
 interaction correction changes first into the
 intermediate regime and then to the ballistic
 one. In all the regions the behavior of the quantum
 interaction-related correction demonstrated
 good consistency with current theoretical predictions. Измерения проведены в лаборатории сильных
 магнитных полей, Гренобль, Франция в рамках
 проекта SE 5403. Авторы выражают благодарность
 проф. J.C. Portal за предоставленную возможность
 выполнения измерений и V. Renard за помощь
 в проведении эксперимента, а также B. Rsserr,
 D. Chastina, G. Isella, H. Von Knel [14] за предоставление гетероструктуры, использованной нами
 для создания образца, имеющего «Hall bar»-конфигурацию. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкоразмерные и неупорядоченные системы Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe Effects of weak localization and interaction of charge carriers in 2D hole gas in Ge quantum well in SiGe/Ge/SiGe heterostructure Article published earlier |
| spellingShingle | Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe Беркутов, И.Б. Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Mironov, O.A. Myronov, M. Leadley, D.R. Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| title | Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe |
| title_alt | Effects of weak localization and interaction of charge carriers in 2D hole gas in Ge quantum well in SiGe/Ge/SiGe heterostructure |
| title_full | Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe |
| title_fullStr | Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe |
| title_full_unstemmed | Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe |
| title_short | Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe |
| title_sort | эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре sige/ge/sige |
| topic | Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| topic_facet | Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120313 |
| work_keys_str_mv | AT berkutovib éffektyslaboilokalizaciiivzaimodeistviânositeleizarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievoikvantovoiâmevgeterostrukturesigegesige AT komnikûf éffektyslaboilokalizaciiivzaimodeistviânositeleizarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievoikvantovoiâmevgeterostrukturesigegesige AT andrievskiivv éffektyslaboilokalizaciiivzaimodeistviânositeleizarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievoikvantovoiâmevgeterostrukturesigegesige AT mironovoa éffektyslaboilokalizaciiivzaimodeistviânositeleizarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievoikvantovoiâmevgeterostrukturesigegesige AT myronovm éffektyslaboilokalizaciiivzaimodeistviânositeleizarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievoikvantovoiâmevgeterostrukturesigegesige AT leadleydr éffektyslaboilokalizaciiivzaimodeistviânositeleizarâdavdvumernomdyročnomgazevgermanievoikvantovoiâmevgeterostrukturesigegesige AT berkutovib effectsofweaklocalizationandinteractionofchargecarriersin2dholegasingequantumwellinsigegesigeheterostructure AT komnikûf effectsofweaklocalizationandinteractionofchargecarriersin2dholegasingequantumwellinsigegesigeheterostructure AT andrievskiivv effectsofweaklocalizationandinteractionofchargecarriersin2dholegasingequantumwellinsigegesigeheterostructure AT mironovoa effectsofweaklocalizationandinteractionofchargecarriersin2dholegasingequantumwellinsigegesigeheterostructure AT myronovm effectsofweaklocalizationandinteractionofchargecarriersin2dholegasingequantumwellinsigegesigeheterostructure AT leadleydr effectsofweaklocalizationandinteractionofchargecarriersin2dholegasingequantumwellinsigegesigeheterostructure |