Buchumschlag

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью 4,68⋅10⁴см²⋅В⁻¹⋅ с⁻¹ . Измерения сопротивления проведены при температурах от 46 мК...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Mironov, O.A., Myronov, M., Leadley, D.R.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Schlagworte:	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120313
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe / И.Б. Беркутов, Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевсикй, O.A. Mironov, M. Myronov, D.R. Leadley // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 7. — С. 896–904. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
von: Хижный, В.И.
Veröffentlicht: (2008)

Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs
von: Yukhymchuk, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
von: A. P. Dolgolenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
von: V. P. Popov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
von: V. V. Kuryliuk
Veröffentlicht: (2013)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
von: Попов, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Yu. M. Gudenko, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
von: Gudenko1, Yu.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
von: Андриевский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
von: Михайловский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
von: Ja. Mikhajlovskij, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двухкаскадные модули на основе Bi2Te3 и SiGe для термоэлектрических генераторов
von: Mikhailovsky, V. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Пружнi деформацiї в SiGe-гетероструктурах з квантовими точками неоднорiдного складу
von: Kuryliuk, V. V.
Veröffentlicht: (2018)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке
von: Сухов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
von: Покутний, С.И.
Veröffentlicht: (2016)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
von: Kozyrev, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)