Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)
Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован
 в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных
 зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось
 два типа особен...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120325 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862712787949584384 |
|---|---|
| author | Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. |
| author_facet | Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. |
| citation_txt | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован
в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных
зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось
два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической
аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся
сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К.
Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при
f > 10⁵ Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах
можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально
определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления
долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости.
Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается
диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка
решетки имеет локальный характер.
Імпеданс монокристалічних зразків PbTe(Ga) та Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤ x ≤ 0,095) досліджено
у діапазоні частот від 10² до 10⁶ Гц в інтервалі температур 4,2–300 К. На температурних залежностях
ємності на усіх досліджених зразках Pb₁₋xGexTe(Ga) спостерігалося два типи особливостей.
Це яскраво виражений пік при температурі Т = Тp, обумовлений діелектричною
аномалією при сегнетоелектричному фазовому переході, а також зростання ємності, якe характеризується сильною частотною залежністю в області температур Т < 100 К. Амплітуда
низькотемпературного ефекту монотонно зменшується з ростом частоти f, і при f > 10⁵ Гц
ефект практично зникає. Таку поведінку ємності при настільки низьких частотах можливо
асоціювати з процесами перезарядження в домішковій підсистемі. Експериментально визначене
значення Тp виявилося істотно вище, ніж характерні температури появи довгочасових релаксаційних процесів, зокрема затриманої фотопровідності. Отже, зміна зарядових станів у
домішковій підсистемі не супроводжується діелектричними аномаліями кристалічних граток у
цілому, і можлива перебудова гратки має локальний характер.
The impedance of PbTe(Ga) and
Pb₁₋xGexTe(Ga) single crystals (0 ≤ x ≤ 0.095)
is studied in a 10² - 10⁶ Hz frequency at temperatures
varied from 4.2 to 300 K. The temperature
dependences of capacitance for the
Pb₁₋xGexTe(Ga) samples display two peculiarities.
These are a pronounced maximum at T = Tp
responsible for by the dielectric anomaly at the
ferroelectric phase transition and an increase in
capacitance at T < 100 K which shows a strong
frequency dependence. The low-temperature effect
amplitude decreases monotoneously with increasing
frequency, f, and at f > 10⁵ Hz the effect
almost disappears. The contribution to the
capacitance at such low frequences may be associated
with the recharging in the impurity subsystem.
The experimental value of Tp turned out
to be much higher than the characteristic temperatures
of the onset of long-term relaxation
processes, in particular, the delayed photo-conductivity.
Hence, the change of the charge states
in the impurity subsystem is not followed by the
dielectric anomalies of the whole crystal lattice,
and the rearrangement of the lattice is local.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:39:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120325 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:39:37Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. 2017-06-11T16:23:56Z 2017-06-11T16:23:56Z 2004 Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.55.Ht, 77.80.Bh https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120325 Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован
 в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных
 зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось
 два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической
 аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся
 сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К.
 Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при
 f > 10⁵ Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах
 можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально
 определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления
 долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости.
 Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается
 диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка
 решетки имеет локальный характер. Імпеданс монокристалічних зразків PbTe(Ga) та Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤ x ≤ 0,095) досліджено
 у діапазоні частот від 10² до 10⁶ Гц в інтервалі температур 4,2–300 К. На температурних залежностях
 ємності на усіх досліджених зразках Pb₁₋xGexTe(Ga) спостерігалося два типи особливостей.
 Це яскраво виражений пік при температурі Т = Тp, обумовлений діелектричною
 аномалією при сегнетоелектричному фазовому переході, а також зростання ємності, якe характеризується сильною частотною залежністю в області температур Т < 100 К. Амплітуда
 низькотемпературного ефекту монотонно зменшується з ростом частоти f, і при f > 10⁵ Гц
 ефект практично зникає. Таку поведінку ємності при настільки низьких частотах можливо
 асоціювати з процесами перезарядження в домішковій підсистемі. Експериментально визначене
 значення Тp виявилося істотно вище, ніж характерні температури появи довгочасових релаксаційних процесів, зокрема затриманої фотопровідності. Отже, зміна зарядових станів у
 домішковій підсистемі не супроводжується діелектричними аномаліями кристалічних граток у
 цілому, і можлива перебудова гратки має локальний характер. The impedance of PbTe(Ga) and
 Pb₁₋xGexTe(Ga) single crystals (0 ≤ x ≤ 0.095)
 is studied in a 10² - 10⁶ Hz frequency at temperatures
 varied from 4.2 to 300 K. The temperature
 dependences of capacitance for the
 Pb₁₋xGexTe(Ga) samples display two peculiarities.
 These are a pronounced maximum at T = Tp
 responsible for by the dielectric anomaly at the
 ferroelectric phase transition and an increase in
 capacitance at T < 100 K which shows a strong
 frequency dependence. The low-temperature effect
 amplitude decreases monotoneously with increasing
 frequency, f, and at f > 10⁵ Hz the effect
 almost disappears. The contribution to the
 capacitance at such low frequences may be associated
 with the recharging in the impurity subsystem.
 The experimental value of Tp turned out
 to be much higher than the characteristic temperatures
 of the onset of long-term relaxation
 processes, in particular, the delayed photo-conductivity.
 Hence, the change of the charge states
 in the impurity subsystem is not followed by the
 dielectric anomalies of the whole crystal lattice,
 and the rearrangement of the lattice is local. Работа выполнена при частичной поддержке
 грантов РФФИ N 04-02-16397, N 02-02-17057 и
 ИНТАС N 2001–0184. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) Nonequilibrium processes and ferroelectric phase transition in PbGeTe(Ga) Article published earlier |
| spellingShingle | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений |
| title | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_alt | Nonequilibrium processes and ferroelectric phase transition in PbGeTe(Ga) |
| title_full | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_fullStr | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_full_unstemmed | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_short | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_sort | неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах pbgete(ga) |
| topic | Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений |
| topic_facet | Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120325 |
| work_keys_str_mv | AT akimovba neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskiifazovyiperehodvkristallahpbgetega AT prâdunvv neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskiifazovyiperehodvkristallahpbgetega AT râbovali neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskiifazovyiperehodvkristallahpbgetega AT slynʹkoei neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskiifazovyiperehodvkristallahpbgetega AT hohlovdr neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskiifazovyiperehodvkristallahpbgetega AT štanovvi neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskiifazovyiperehodvkristallahpbgetega AT akimovba nonequilibriumprocessesandferroelectricphasetransitioninpbgetega AT prâdunvv nonequilibriumprocessesandferroelectricphasetransitioninpbgetega AT râbovali nonequilibriumprocessesandferroelectricphasetransitioninpbgetega AT slynʹkoei nonequilibriumprocessesandferroelectricphasetransitioninpbgetega AT hohlovdr nonequilibriumprocessesandferroelectricphasetransitioninpbgetega AT štanovvi nonequilibriumprocessesandferroelectricphasetransitioninpbgetega |