Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
The analytical and numerical calculations of electron and hole spectra
 renormalised by L- and I-phonons taking into account the configurational
 interaction are performed for the QD embedded into semiconductor medium
 exemplified by GaAs/AlxGa₁₋xAs nanoheterosystems.
...
Saved in:
| Published in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2001
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120473 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) / M.V. Tkach, M.Y. Mikhalyova, O.M. Voitsekhivska, R.B. Fartushinsky // Condensed Matter Physics. — 2001. — Т. 4, № 3(27). — С. 579-589. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862568194336620544 |
|---|---|
| author | Tkach, M.V. Mikhalyova, M.Y. Voitsekhivska, O.M. Fartushinsky, R.B. |
| author_facet | Tkach, M.V. Mikhalyova, M.Y. Voitsekhivska, O.M. Fartushinsky, R.B. |
| citation_txt | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) / M.V. Tkach, M.Y. Mikhalyova, O.M. Voitsekhivska, R.B. Fartushinsky // Condensed Matter Physics. — 2001. — Т. 4, № 3(27). — С. 579-589. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | The analytical and numerical calculations of electron and hole spectra
renormalised by L- and I-phonons taking into account the configurational
interaction are performed for the QD embedded into semiconductor medium
exemplified by GaAs/AlxGa₁₋xAs nanoheterosystems.
It is established that for the nanosize QDs the shifts of electron and hole
ground levels are created by the interaction of these quasiparticles with Land
I-phonons due to all the states of discrete and continuous spectrum.
For the small QDs, the shifts of ground energy levels have strong nonlinear
dependences while for the big QDs, they almost do not depend on QD radius
and have the magnitude close to the shifts of ground levels in massive
crystal creating QD. Due to the different effective masses of light and heavy
holes, the splittings of their ground levels are the complicated functions on
QD radius and Al concentration in AlxGa₁₋xAs medium.
У роботі виконано аналітичний і чисельний розрахунки перенормування L- та I-фононами електронного та діркового спектрів з повним
врахуванням конфігураційної взаємодії у квантовій точці, що вміщена
в напівпровідникове середовище. Конкретний розрахунок виконано
для гетеросистеми GaAs/AlxGa₁₋xAs.
Установлено, що зсуви основних рівнів електрона та дірки формуються взаємодією цих квазічастинок як з L-, так і з I-фононами за участю всіх станів дискретного та неперервного спектрів. При малих розмірах КТ зсуви основних енергетичних рівнів квазічастинок мають сильно нелінійну залежність, а при великих радіусах КТ вони практично
не залежать від розміру КТ та близькі за величиною до зсувів основних рівнів у масивному кристалі, з якого утворена КТ. Через різницю
ефективних мас важкої та легкої дірок розщеплення їх основних рівнів має складну залежність від радіуса КТ та концентрації Al (x) у середовищі AlxGa₁₋xAs.
|
| first_indexed | 2025-11-26T00:18:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120473 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T00:18:46Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Tkach, M.V. Mikhalyova, M.Y. Voitsekhivska, O.M. Fartushinsky, R.B. 2017-06-12T07:58:44Z 2017-06-12T07:58:44Z 2001 Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) / M.V. Tkach, M.Y. Mikhalyova, O.M. Voitsekhivska, R.B. Fartushinsky // Condensed Matter Physics. — 2001. — Т. 4, № 3(27). — С. 579-589. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1607-324X PACS: 79.60.Jv, 63.20.Dj DOI:10.5488/CMP.4.3.579 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120473 The analytical and numerical calculations of electron and hole spectra
 renormalised by L- and I-phonons taking into account the configurational
 interaction are performed for the QD embedded into semiconductor medium
 exemplified by GaAs/AlxGa₁₋xAs nanoheterosystems.
 It is established that for the nanosize QDs the shifts of electron and hole
 ground levels are created by the interaction of these quasiparticles with Land
 I-phonons due to all the states of discrete and continuous spectrum.
 For the small QDs, the shifts of ground energy levels have strong nonlinear
 dependences while for the big QDs, they almost do not depend on QD radius
 and have the magnitude close to the shifts of ground levels in massive
 crystal creating QD. Due to the different effective masses of light and heavy
 holes, the splittings of their ground levels are the complicated functions on
 QD radius and Al concentration in AlxGa₁₋xAs medium. У роботі виконано аналітичний і чисельний розрахунки перенормування L- та I-фононами електронного та діркового спектрів з повним
 врахуванням конфігураційної взаємодії у квантовій точці, що вміщена
 в напівпровідникове середовище. Конкретний розрахунок виконано
 для гетеросистеми GaAs/AlxGa₁₋xAs.
 Установлено, що зсуви основних рівнів електрона та дірки формуються взаємодією цих квазічастинок як з L-, так і з I-фононами за участю всіх станів дискретного та неперервного спектрів. При малих розмірах КТ зсуви основних енергетичних рівнів квазічастинок мають сильно нелінійну залежність, а при великих радіусах КТ вони практично
 не залежать від розміру КТ та близькі за величиною до зсувів основних рівнів у масивному кристалі, з якого утворена КТ. Через різницю
 ефективних мас важкої та легкої дірок розщеплення їх основних рівнів має складну залежність від радіуса КТ та концентрації Al (x) у середовищі AlxGa₁₋xAs. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) Взаємодія електронів та дірок з фононами у квантовій точці, що вміщена в напівпровідникове середовище (GaAs/AlxGa₁₋xAs) Article published earlier |
| spellingShingle | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) Tkach, M.V. Mikhalyova, M.Y. Voitsekhivska, O.M. Fartushinsky, R.B. |
| title | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) |
| title_alt | Взаємодія електронів та дірок з фононами у квантовій точці, що вміщена в напівпровідникове середовище (GaAs/AlxGa₁₋xAs) |
| title_full | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) |
| title_fullStr | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) |
| title_full_unstemmed | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) |
| title_short | Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs) |
| title_sort | electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (gaas/alxga₁₋xas) |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120473 |
| work_keys_str_mv | AT tkachmv electronandholephononinteractioninquantumdotembeddedintosemiconductormediumgaasalxga1xas AT mikhalyovamy electronandholephononinteractioninquantumdotembeddedintosemiconductormediumgaasalxga1xas AT voitsekhivskaom electronandholephononinteractioninquantumdotembeddedintosemiconductormediumgaasalxga1xas AT fartushinskyrb electronandholephononinteractioninquantumdotembeddedintosemiconductormediumgaasalxga1xas AT tkachmv vzaêmodíâelektronívtadírokzfononamiukvantovíitočcíŝovmíŝenavnapívprovídnikoveseredoviŝegaasalxga1xas AT mikhalyovamy vzaêmodíâelektronívtadírokzfononamiukvantovíitočcíŝovmíŝenavnapívprovídnikoveseredoviŝegaasalxga1xas AT voitsekhivskaom vzaêmodíâelektronívtadírokzfononamiukvantovíitočcíŝovmíŝenavnapívprovídnikoveseredoviŝegaasalxga1xas AT fartushinskyrb vzaêmodíâelektronívtadírokzfononamiukvantovíitočcíŝovmíŝenavnapívprovídnikoveseredoviŝegaasalxga1xas |