Зображення обкладинки

Heterostructure infrared photodiodes

HgCdTe remains the most important material for infrared photodetectors despite numerous attempts to replace it with alternative materials such as closely related mercury alloys (HgZnTe, HgMnTe), Schottky barriers on silicon, SiGe heterojunctions, AlGaAs multiple quantum wells, GaInSb strain layer su...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
ISSN:	1560-8034
Автор:	Rogalski, A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120506
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Heterostructure infrared photodiodes / A. Rogalski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 111-120. — Бібліогр.: 50 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

Uncooled р(Pb₁₋xSnxSe)-n(CdSe) heterostructure-based photodetector for the far infrared spectral range
за авторством: Lepikh, Ya.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A. D., та інші
Опубліковано: (2012)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Yu. Dobrovolsky, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Dobrovolsky, Yu., та інші
Опубліковано: (2015)

Infrared blocking materials
за авторством: Z. F. Tsybrii, та інші
Опубліковано: (2020)

Infrared blocking materials
за авторством: Tsybrii, Z.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Infrared and terahertz in biomedicine
за авторством: F. F. Sizov
Опубліковано: (2017)

Infrared and terahertz in biomedicine
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2017)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

On the choice of scintillators for "scintillator-photodiode" detectors for digital radiography
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Alpha particle detector based on micro pixel avalanche photodiodes
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2013)

Infrared detectors: outlook and means
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2000)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Infrared absorption by achiral carbon nanotubes
за авторством: A. V. Korotun, та інші
Опубліковано: (2020)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Experimental analysis of ¹³CO₂ infrared stimulated
за авторством: Chabbi, H., та інші
Опубліковано: (2000)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

“Multicoloured” superradiance in quantum heterostructures
за авторством: Pikaruk, O.O., та інші
Опубліковано: (2004)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions
за авторством: Hodovaniouk, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Infrared spectroscopy of ultraviolet-irradiated carbon nanotubes
за авторством: I. Ovsiienko, та інші
Опубліковано: (2020)

Infrared spectroscopy of ultraviolet-irradiated carbon nanotubes
за авторством: I. Ovsiienko, та інші
Опубліковано: (2020)