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Heterostructure infrared photodiodes

HgCdTe remains the most important material for infrared photodetectors despite numerous attempts to replace it with alternative materials such as closely related mercury alloys (HgZnTe, HgMnTe), Schottky barriers on silicon, SiGe heterojunctions, AlGaAs multiple quantum wells, GaInSb strain layer su...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2000
1. Verfasser:	Rogalski, A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120506
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Heterostructure infrared photodiodes / A. Rogalski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 111-120. — Бібліогр.: 50 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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