Зображення обкладинки

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures

A theoretical analysis is developed for ascertaining the influence of exciton states on edge luminescence in different semiconductors at high temperatures and high levels of excitation. Screening effects and the Mott transition for excitons have been taken into account using simple relations obtaine...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
Автори:	Sachenko, A.V., Kryuchenko, Yu.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120507
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures / A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 150-156. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)

Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nano-film of layered semiconductor
за авторством: A. V. Derevyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)

On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals
за авторством: Machulin, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands
за авторством: Grigorchuk, N. I.
Опубліковано: (1999)

Room-temperature gas sensor based on semiconductor nanoscale heterostructures ZnS/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Excitonic emission of hybrid nanosystem &quot;spherical semiconductor quantum dot + spherical metal nanoparticle&quot;
за авторством: Yu. V. Kryuchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)

The manifestation of excitons in low-temperature luminescence spectra of solid solutions of zinc and nickel oxides
за авторством: V. N. Churmanov, та інші
Опубліковано: (2019)

Exciton states in semiconductor nanosystems
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2016)

Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: Shkrebtii, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Excitons and exciton quasimolecules states in nanosystems of semiconductor quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Exciton luminescence in krypton cryocrystals with an admixture of molecular deuterium
за авторством: A. G. Belov, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018)

Colossal magnetoresistance at room temperature in manganites and chromium chalkospinels
за авторством: Abramovich, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Features of low-temperature exciton dynamics in J-aggregates with topological disorder
за авторством: Malyukin, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Luminescence of nanostructures based on semiconductor nitrides
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Exciton spectrum in multi-shell hexagonal semiconductor nanotube
за авторством: Makhanets, O.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of Convector Location on the Room Temperature Distribution
за авторством: O. S. Tsakanyan, та інші
Опубліковано: (2018)

Laser-excited excitonic luminescence of nanocrystalline TiO2 powder
за авторством: L. Kernazhitsky, та інші
Опубліковано: (2014)

Laser-excited excitonic luminescence of nanocrystalline TiO2 powder
за авторством: L. Kernazhitsky, та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature effect on the characteristics and lifetime of semiconductor detectors
за авторством: Vasiliyev, G.P., та інші
Опубліковано: (2006)

Ordered Dissipative Structures in Exciton Systems in Semiconductor Quantum Wells
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Modification of luminescent descriptions of molecule co-operating with the excitonic states of J-aggregate
за авторством: Ju. Ropakova, та інші
Опубліковано: (2017)

Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)

Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)

Pressure-induced metallization of diamond at room temperature
за авторством: S. M. Sichkar
Опубліковано: (2020)

Effects of gamma-irradiation on nanostructured Na-bentonite silicate layers at room temperature
за авторством: Ismayilova, M.K.
Опубліковано: (2021)

Determination of oscillator strength of confined excitons in a semiconductor microcavity
за авторством: Cotta, E.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of the Location of a Convector on the Distribution of the Room Temperature
за авторством: Tsakanyan, O. S., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the Location of a Convector on the Distribution of the Room Temperature
за авторством: Tsakanyan, O. S., та інші
Опубліковано: (2018)

The theory of exciton states in quasi-zero-dimensional semiconductor systems
за авторством: Pokutnyi, S.I.
Опубліковано: (2006)

Enhancement of CdSSe QD exciton luminescence efficiency by hydrogen RF plasma treatment
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)