Зображення обкладинки

Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation

Peculiarities of the photovoltaic effect in Ti/n-Si Schottky contact have been studied experimentally under infrared (IR) laser excitation at wavelengths 2.79, 3, 5, 7 and 10.6 mm. We demonstrate that strong laser excitation gives rise to the photovoltage even if an incident photon energy is lower t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
Автори:	Asmontas, S., Seliuta, D., Sirmulis, E.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120510
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation / S. Asmontas, D. Seliuta, E. Sirmulis // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 138-143. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Individuality of photoresponse dynamics of semiconductor sensors
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Geometrization of the temporal photoresponse from the semiconductor sensor materials
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014)

IR region challenges: Photon or thermal detectors? Outlook and means
за авторством: Sizov, F.
Опубліковано: (2012)

IR region challenges: Photon or thermal detectors? Outlook and means
за авторством: F. F. Sizov
Опубліковано: (2012)

Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2008)

Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Active conductivity of plane two-barrier resonance tunnel structure as operating element of quantum cascade laser or detector
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

On the mechanisms of strong magnetic field excitation at the interaction of ultraintense short laser pulse with an plasma target
за авторством: Karas’, V.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Polarization of far-IR radiation from p-type germanium under uniaxial pressure and strong electric field
за авторством: Bondar, V., та інші
Опубліковано: (2001)

Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: A. V. Kopyshinsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: Kopyshinsky, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)

ZnMgSe:Cr²⁺ — a new active medium for lasers of middle IR
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Strong-field approximation for analytical calculation of the residual current density excited by gas ionization with an intense two-color laser pulse
за авторством: Romanov, A.A., та інші
Опубліковано: (2015)

Quantum electrodynamics in the strong pulsed laser fields
за авторством: Roshchupkin, S.P.
Опубліковано: (2013)