Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation
Peculiarities of the photovoltaic effect in Ti/n-Si Schottky contact have been studied experimentally under infrared (IR) laser excitation at wavelengths 2.79, 3, 5, 7 and 10.6 mm. We demonstrate that strong laser excitation gives rise to the photovoltage even if an incident photon energy is lower t...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120510 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation / S. Asmontas, D. Seliuta, E. Sirmulis // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 138-143. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |