Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling

In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Condensed Matter Physics
Date:1999
Main Authors: Didukh, L., Hankevych, V.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120523
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling / L. Didukh, V. Hankevych // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 447-452. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120523
record_format dspace
spelling Didukh, L.
Hankevych, V.
2017-06-12T09:27:48Z
2017-06-12T09:27:48Z
1999
Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling / L. Didukh, V. Hankevych // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 447-452. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.
1607-324X
DOI:10.5488/CMP.2.3.447
PACS: 71.30.+h, 71.28.+d, 71.10.Fd, 71.27.+a
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120523
In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model. The results are applied to the interpretation of some experimental data.
У цій роботі вивчається температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні. Показано, що результати, отримані у розглядуваній моделі, суттєво відрізняються від результатів моделі Габбарда.
The authors are grateful to Prof. I. Stasyuk for valuable discussions as well as to the Organizing Committee of the INTAS-Ukraine Workshop on Condensed Matter Physics for grant.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling
Температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling
spellingShingle Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling
Didukh, L.
Hankevych, V.
title_short Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling
title_full Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling
title_fullStr Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling
title_full_unstemmed Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling
title_sort temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric hubbard model at half-filling
author Didukh, L.
Hankevych, V.
author_facet Didukh, L.
Hankevych, V.
publishDate 1999
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні
description In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model. The results are applied to the interpretation of some experimental data. У цій роботі вивчається температурно-індукований перехід метал-діелектрик у вузькозонній моделі з нееквівалентними габбардівськими підзонами при половинному заповненні. Показано, що результати, отримані у розглядуваній моделі, суттєво відрізняються від результатів моделі Габбарда.
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120523
citation_txt Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling / L. Didukh, V. Hankevych // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 447-452. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT didukhl temperatureinducedmetalinsulatortransitioninanonsymmetrichubbardmodelathalffilling
AT hankevychv temperatureinducedmetalinsulatortransitioninanonsymmetrichubbardmodelathalffilling
AT didukhl temperaturnoíndukovaniiperehídmetaldíelektrikuvuzʹkozonníimodelízneekvívalentnimigabbardívsʹkimipídzonamipripolovinnomuzapovnenní
AT hankevychv temperaturnoíndukovaniiperehídmetaldíelektrikuvuzʹkozonníimodelízneekvívalentnimigabbardívsʹkimipídzonamipripolovinnomuzapovnenní
first_indexed 2025-12-07T21:04:32Z
last_indexed 2025-12-07T21:04:32Z
_version_ 1850884985080250368