Critical indices of the ferroelectric phase transition in TGS crystals

• Опубліковано в: : Condensed Matter Physics
• Дата: 1999
• Автори: Myshchyshyn, O., Andriyevsky, B., Romanyuk, M.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120540
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Critical indices of the ferroelectric phase transition in TGS crystals / O. Myshchyshyn, B. Andriyevsky, M. Romanyuk // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 509-514. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Temperature dependencies of retardation, electron susceptibility and linear thermal expansion for three crystal-physic directions are obtained by
 means of optical investigations of the ferroelectric phase transition in TGS
 crystal using the James-type interferometer. Temperature dependencies of
 the spontaneous changes of the characteristics studied in the 39–49◦ C
 range are fitted by the power low Y ~ τ²β with double critical indices
 2β=0.87–0.95. Difference of 2β values from the unity is explained by the
 essential temperature dependence in the range close to the phase transition point for the coefficients of electrooptic, reversed piezoelectric and
 electrostriction effects. Шляхом оптичних вимірювань сегнетоелектричного фазового переходу в кристалі тригліцинсульфату за допомогою інтерферометра
 Жамена одержано температурні залежності оптичної рiзниці ходу,
 електронної сприйнятливості та лінійного розширення для трьох кристалофізичних напрямків. Температурні залежності спонтанних змін
 досліджуваних характеристик в області 39–49◦ C апроксимовані степеневими залежностями Y ~ τ²β з подвійними критичними індексами 2β=0.87–0.95. Відмінність 2β від одиниці пояснюється суттєвою
 температурною залежністю поблизу точки фазового переходу коефіцієнтів електрооптичного, оберненого п’єзоелектричного ефектів та електрострикції.