Extra oxygen and carrier distribution in CuO₂ layers in HgBa₂Can₋₁CunO₂n₊₂₊δ compounds (n=1,2,4)

It is proposed to determine the equilibrium state of the crystal lattice by minimizing the total energy in order to elucidate the role of electrostatic interactions as well as to determine the nonstoichiometry in Hg-contained high temperature superconductors (HTSC). The approximation of non-inter...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Condensed Matter Physics
Datum:1999
Hauptverfasser: Lutciv, R.V., Boyko, Ya.V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120541
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Extra oxygen and carrier distribution in CuO₂ layers in HgBa₂Can₋₁CunO₂n₊₂₊δ compounds (n=1,2,4) / R.V. Lutciv, Ya.V. Boyko // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 481-486. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:It is proposed to determine the equilibrium state of the crystal lattice by minimizing the total energy in order to elucidate the role of electrostatic interactions as well as to determine the nonstoichiometry in Hg-contained high temperature superconductors (HTSC). The approximation of non-interacting holes is used to evaluate the band energy. Such an approach enables us to satisfactorily describe the changes of oxygen nonstoichiometry and to indicate the preferred localization of the carriers on oxygen sites in CuO₂ layers. Для з’ясування ролі електростатичних взаємодій і визначення нестехіометрії у Hg-вмісних високотемпературних надпровідниках (ВТ- НП) пропонується визначати рівноважний стан кристалічної гратки шляхом мінімізації загальної енергії. Для обчислення зонної енергії використовується наближення повністю невзаємодіючих дірок. Такий підхід дає змогу добре описати зміни нестехіометрії за киснем і показує переважнe розміщення носіїв на позиціях кисню у площинах CuO₂.
ISSN:1607-324X