Transition temperature in KDP type crystals under external pressures. Role of H-bond geometry

Within the four-particle cluster approximation for the proton ordering model,
 we study effects of external pressures which do not lower the symmetry
 of crystals on deuterated ferroelectrics and antiferroelectrics of KH₂PO₄
 family. We show that the universality of the trans...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Condensed Matter Physics
Дата:1999
ISSN:1607-324X
Автори: Levitskii, R.R., Moina, A.P., Zachek, I.R.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120542
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Transition temperature in KDP type crystals under external pressures. Role of H-bond geometry / R.R. Levitskii, A.P. Moina, I.R. Zachek // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 515-522. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Within the four-particle cluster approximation for the proton ordering model,
 we study effects of external pressures which do not lower the symmetry
 of crystals on deuterated ferroelectrics and antiferroelectrics of KH₂PO₄
 family. We show that the universality of the transition temperature vs D-
 site distance dependence observed experimentally in some of the crystals
 deformed by hydrostatic pressure is also obeyed by the other crystals of
 the family as well as under the uniaxial pressure p = −σ₃. У наближенні чотиричастинкового кластера для моделі протонного
 впорядкування досліджуються ефекти, викликані зовнішніми тисками, що не понижують симетрії кристалів, на дейтеровані сегнетоелектрики і антисегнетоелектрики сім’ї KH₂PO₄. Показано, що експериментально виявлена для деяких з цих кристалів, деформованих
 гідростатичним тиском, універсальна залежність температур переходу від віддалі між можливими положеннями дейтрона на зв’язку,
 поширюється також і на інші кристали цієї сім’ї, що можуть бути деформовані і одновісним тиском.
ISSN:1607-324X